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VBP15R20S 产品详细

产品简介:

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VBP15R20S是一款高性能的单N沟道MOSFET,采用TO247封装。其主要特点包括500V的漏源电压(VDS)、±30V的栅源电压(VGS)和3V的阈值电压(Vth)。该器件具有140mΩ的导通电阻(RDS(ON))@VGS=10V,并支持高达20A的连续漏极电流(ID)。VBP15R20S采用先进的SJ(超级结)多重外延技术(SJ_Multi-EPI),在高压应用中提供卓越的性能和可靠性。

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产品参数:

详细参数说明

- **型号**: VBP15R20S
- **封装类型**: TO247
- **配置**: 单N沟道(Single-N)
- **漏源电压(VDS)**: 500V
- **栅源电压(VGS)**: ±30V
- **阈值电压(Vth)**: 3V
- **导通电阻(RDS(ON))**: 140mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流(ID)**: 20A
- **技术**: SJ多重外延(SJ_Multi-EPI)

领域和模块应用:

适用领域和模块举例

1. **工业电源**
VBP15R20S由于其高压和高电流处理能力,非常适合用于工业电源模块。在这些应用中,该MOSFET可以在高效率转换和稳压方面发挥重要作用,确保电源系统的可靠性和稳定性。

2. **电动汽车充电站**
该器件的高压特性使其适用于电动汽车充电站,特别是在直流快速充电模块中。其低导通电阻和高耐压性能够提高充电效率,并减少功率损耗,从而为电动汽车提供更快、更可靠的充电服务。

3. **太阳能逆变器**
在太阳能逆变器应用中,VBP15R20S可以用于直流到交流的高效能转换。这些逆变器需要处理高电压和大电流,该MOSFET的特性能够满足这些需求,提供高效率和低热损耗的解决方案。

4. **不间断电源(UPS)系统**
不间断电源系统需要在电力故障时快速响应,提供持续的电力供应。VBP15R20S的快速开关性能和高电流处理能力使其成为UPS系统中理想的选择,确保系统在电力中断时能够迅速切换到备用电源。

通过这些例子可以看出,VBP15R20S在需要高压、高电流和高效率的应用中具有广泛的适用性,其优异的电气特性和可靠性为各种关键性应用提供了理想的解决方案。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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