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VBM19R10S 产品详细

产品简介:

产品简介

VBM19R10S 是一种高压单N沟道MOSFET,采用TO220封装,适用于多种高性能应用。其主要特性包括900V的漏源电压(VDS)、±30V的栅源电压(VGS)、3V的门限电压(Vth),以及在VGS=10V时导通电阻(RDS(ON))为750mΩ。该器件能够承载高达10A的连续漏极电流,采用了超结多重外延(SJ_Multi-EPI)技术,提供优异的电气性能和高效率。

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产品参数:

详细参数说明

- **封装类型 (Package)**: TO220
- **器件类型 (Configuration)**: 单N沟道 (Single-N)
- **漏源电压 (VDS)**: 900V
- **栅源电压 (VGS)**: ±30V
- **门限电压 (Vth)**: 3V
- **导通电阻 (RDS(ON))**: 750mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流 (ID)**: 10A
- **技术**: 超结多重外延 (SJ_Multi-EPI)

领域和模块应用:

应用领域和模块举例

1. **电源管理模块**: VBM19R10S 由于其高压和高电流能力,非常适合应用在开关电源(SMPS)、不间断电源(UPS)以及DC-DC转换器中。这些应用中,该器件能有效地提高转换效率,减少功率损耗,从而提升系统的整体性能和可靠性。

2. **工业控制系统**: 在工业自动化和控制系统中,该MOSFET可以用于电机驱动、工业变频器和控制器等场景。其高耐压能力和低导通电阻确保在高功率应用中提供稳定和高效的性能。

3. **太阳能和可再生能源系统**: 在太阳能逆变器和风能转换系统中,VBM19R10S 可用于处理高电压和高电流的转换需求。其高效能有助于提高能源转换效率,并降低系统的功耗和热损耗。

4. **照明系统**: 该器件也适用于高功率LED照明系统,尤其是在需要高效率和长寿命的工业和商业照明应用中。VBM19R10S 的高电压和电流特性有助于提供稳定的驱动电流,确保照明系统的可靠性和高效能。

这些应用场景展示了VBM19R10S的多功能性和高性能,使其成为各种高压、高功率电子系统的理想选择。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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