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VBM165R10S 产品详细

产品简介:

VBM165R10S 产品简介
产品介绍
VBM165R10S 是一款高电压 N-channel MOSFET,适用于需要高效且可靠电源开关的应用。该 MOSFET 封装为 TO220 包装,单 N-channel 配置,具有 650V 的漏源电压 (VDS) 和 ±30V 的栅源电压 (VGS)。该器件的门槛电压 (Vth) 为 3V,RDS(ON) 为 500mΩ (VGS = 10V)。其最大持续漏电流 (ID) 为 10A,采用超级结 (SJ) 多晶体管技术,在苛刻环境中实现卓越性能。



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产品参数:

详细参数
- **封装:** TO220
- **配置:** 单 N-channel
- **漏源电压 (VDS):** 650V
- **栅源电压 (VGS):** ±30V
- **门槛电压 (Vth):** 3V
- **导通电阻 (RDS(ON)):** 500mΩ @ VGS = 10V
- **持续漏电流 (ID):** 10A
- **技术:** 超级结 (SJ) 多晶体管

领域和模块应用:

应用示例
1. **电源供应:**
VBM165R10S 非常适合用于开关电源 (SMPS) 中,因其高电压耐受能力和低导通电阻,可提升效率并减少运行中的功耗。在 SMPS 中,可用于主侧开关或功率因数校正 (PFC) 电路,提高整体电力质量和效率。

2. **电机驱动:**
在电机驱动应用中,特别是工业电机和家用电器中,VBM165R10S 能够高效处理高电压和电流要求。其稳健的设计确保了电机控制和驱动的可靠性,提供平稳的操作和节能效果。

3. **逆变器:**
VBM165R10S 的高电压能力和高效开关性能使其非常适合用于逆变器电路,包括太阳能逆变器和不间断电源 (UPS) 中。这些逆变器需要可靠的组件来实现 DC 到 AC 电源的转换,VBM165R10S 完美符合这些需求。

4. **照明:**
在高强度放电 (HID) 和 LED 照明系统中,VBM165R10S 可用于驱动电路。其处理高电压和电流的能力确保照明系统的高效运行,提供明亮且一致的照明,同时保持能源效率。

总体而言,VBM165R10S MOSFET 是一个多功能组件,可广泛应用于各种高电压和高电流的应用中,确保高效的电源管理和可靠的性能。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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