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VBE14R02 产品详细

产品简介:

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VBE14R02 是一款高压 N 沟道 MOSFET,采用 TO252 封装。该器件基于平面技术设计,能够承受高达 400V 的漏源电压,适用于多种高压电源管理和开关应用。VBE14R02 提供适中的导通电阻和电流处理能力,非常适合用于需要高电压控制的场合。

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产品参数:

详细参数说明

- **型号**: VBE14R02
- **封装**: TO252
- **配置**: 单 N 沟道
- **漏源电压 (VDS)**: 400V
- **栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **栅阈值电压 (Vth)**: 3V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 3500mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流 (ID)**: 2A
- **技术**: Plannar

领域和模块应用:

应用领域和模块示例

1. **高压电源转换器**:VBE14R02 非常适用于高压电源转换器应用,例如 AC-DC 转换器和高压 DC-DC 转换器。其高漏源电压能力和较低的导通电阻能够确保转换器在高压环境下的稳定性和效率。

2. **高压开关**:该 MOSFET 可用于高压开关应用,如工业电源开关和高压负载开关。它能够处理高压负载,确保在高电压条件下的安全开关操作,适用于电力传输和配电系统。

3. **电机控制**:在高压电机控制应用中,VBE14R02 可用于高压电机的启动和控制。其高电压能力使其适合于工业电机和高电压电动工具的驱动控制。

4. **照明系统**:该 MOSFET 适用于高压照明系统中的开关和调光控制,例如 HID 灯和 LED 照明系统。其高压处理能力确保了在高压照明应用中的可靠性能。

5. **逆变器**:在高压逆变器应用中,VBE14R02 可以用于 DC-AC 转换器的高压开关部分,如太阳能逆变器和风能逆变器。它的高电压承载能力有助于提升逆变器的效率和稳定性。

通过其高电压处理能力和适中的电流控制,VBE14R02 能够在各种高压电源管理和控制应用中提供可靠的性能和高效的操作。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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