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VBE185R04 产品详细

产品简介:

该型号产品简介:

VBE185R04 是 VBsemi 公司生产的单路 N 型 MOSFET,采用 Plannar 技术,封装为 TO252。该产品具有以下主要特点:
- 额定漏极-源极电压(VDS)为 850V,能够承受较高的电压。
- 标准门源电压(VGS)为 ±30V,门阈电压(Vth)为 3.5V,可适用于多种驱动电路。
- 在 VGS=4.5V 时,导通电阻为 3375mΩ,在 VGS=10V 时导通电阻为 2700mΩ,具有较低的导通电阻,有利于降低功耗和提高效率。
- 最大漏极电流(ID)为 4A,适用于中小功率的应用场合。

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产品参数:

该型号产品详细参数说明:

1. 产品型号:VBE185R04
2. 品牌:VBsemi
3. 参数:
- 类型:单路 N 型 MOSFET
- 技术:Plannar
- 封装:TO252
- 额定漏极-源极电压(VDS):850V
- 标准门源电压(VGS):±30V
- 门阈电压(Vth):3.5V
- VGS=4.5V 时导通电阻:3375mΩ
- VGS=10V 时导通电阻:2700mΩ
- 最大漏极电流(ID):4A

领域和模块应用:

适用领域和模块举例:

1. 电源模块:VBE185R04 适用于设计工业和通信领域的电源模块,如开关电源、逆变器和稳压器等,可实现高压电源的稳定输出。
2. 高压开关电源:由于 VBE185R04 具有较高的额定电压和较低的导通电阻,可用作高压开关电源的功率开关元件,用于工业设备和高端消费电子产品。
3. 太阳能逆变器:该型号的 MOSFET 适用于太阳能逆变器中的功率开关模块,用于将太阳能板产生的直流电转换为交流电,并接入电网。
4. 汽车电子:VBE185R04 可用于汽车电子系统中的电源管理、电机控制和电池管理等模块,实现汽车电子设备的高效控制和管理。
5. 工业自动化:在工业自动化领域,VBE185R04 可用于设计工业控制设备和机器人控制系统,用于实现高压电路的开关和调节。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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