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VBP15R11S 产品详细

产品简介:

VBP15R11S 产品简介

VBP15R11S是一款高电压单N沟道MOSFET,采用TO247封装,设计用于高电压和中等电流的应用。该MOSFET具有500V的漏源电压(VDS)和±30V的栅源电压(VGS),阈值电压为3.3V。它采用SJ_Multi-EPI技术,提供中等导通电阻,在VGS为10V时的导通电阻为380mΩ,最大漏极电流(ID)为11A。VBP15R11S适合用于高电压开关、功率调节和保护电路,能够在高电压条件下保持稳定的性能。

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产品参数:

VBP15R11S 详细参数说明

| 参数 | 值 | 单位 |
|--------------------|-------------------|------|
| 封装类型 | TO247 | |
| 配置 | 单N沟道 | |
| 漏源电压 (VDS) | 500 | V |
| 栅源电压 (VGS) | ±30 | V |
| 阈值电压 (Vth) | 3.3 | V |
| 导通电阻 (RDS(ON)) | 380 (VGS=10V) | mΩ |
| 最大漏极电流 (ID) | 11 | A |
| 技术 | SJ_Multi-EPI | |

领域和模块应用:

VBP15R11S 适用领域和模块

1. **高电压开关(High-Voltage Switching)**:
VBP15R11S在高电压开关应用中非常有效,适用于需要处理高电压(500V)的开关任务。其高电压能力和可靠的开关性能使其成为电源管理和高电压控制电路的理想选择,能够确保系统的稳定和安全。

2. **功率调节(Power Regulation)**:
在功率调节应用中,VBP15R11S能够提供稳定的电流控制和调节功能。其中等导通电阻(380mΩ)和高电压特性使其适用于各种功率调节器和电源调节器,帮助实现高效的功率转换和管理。

3. **电源保护(Power Protection)**:
该MOSFET在电源保护电路中表现出色,适用于高电压保护任务,如过电压保护和过流保护。其高电压能力和可靠性确保了电源系统的安全性和设备的保护,有效防止电源故障和损坏。

4. **逆变器(Inverters)**:
VBP15R11S在逆变器应用中表现良好,适用于高电压逆变电路的开关和控制。其500V的漏源电压能力使其能够稳定工作于高电压逆变器设计中,适合于工业和家用逆变器系统。

5. **电力电子设备(Power Electronics)**:
在电力电子设备中,VBP15R11S能够处理高电压和中等电流负载,适用于电力变换器和高压开关应用。其高电压和中等导通电阻特性使其能够在电力电子系统中提供高效的开关和控制。

VBP15R11S凭借其高电压处理能力和中等电流能力,适用于各种高电压和功率调节应用,为电源管理、电源保护和电力电子设备提供了可靠的解决方案。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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