MOSFET

您现在的位置 > 首页 > MOSFET

VBMB16R20 产品详细

产品简介:

VBMB16R20 产品简介

**VBMB16R20** 是一款高电压 N-channel MOSFET,采用 TO-220F 封装,设计用于高功率、高电压应用。该器件具备 600V 的漏源电压承受能力和 20A 的最大漏极电流,非常适合在需要高电压、高电流的电路中使用。VBMB16R20 采用平面 (Planar) 结构,具备低导通电阻和良好的热性能,能够在高负载条件下提供可靠的性能。

文件下载

下载PDF 文档
立即下载

产品参数:

详细参数说明

- **封装类型**: TO-220F
- **配置**: 单极性(Single-N)
- **漏源电压 (V_DS)**: 600V
- **栅源电压 (V_GS)**: ±30V
- **阈值电压 (V_th)**: 3.5V
- **导通电阻 (R_DS(on))**: 190 mΩ @ V_GS = 10V
- **最大漏极电流 (I_D)**: 20A
- **结构**: 平面 (Planar)

领域和模块应用:

应用领域和模块

**VBMB16R20** 适用于各种需要高电压和高功率处理的应用场合。以下是一些具体的应用领域和模块示例:

1. **电源转换器**:
- 在开关电源和DC-DC转换器中,VBMB16R20 的高电压承受能力和低导通电阻使其能够高效地管理电源转换过程,提供稳定的电源输出并减少能量损耗。

2. **电机驱动**:
- 在工业和家用电机驱动电路中,VBMB16R20 可用作高压开关器件,帮助控制电机的启停和调速,提高系统的效率和可靠性。

3. **逆变器**:
- 在光伏逆变器和不间断电源(UPS)系统中,VBMB16R20 能够处理高电压和高电流需求,确保稳定的电力转换和传输,提高系统的性能和可靠性。

4. **工业控制设备**:
- 在工业自动化和控制设备中,VBMB16R20 的高耐压特性使其适用于高压开关和控制电路,确保设备在高压环境下的稳定运行。

通过以上应用,VBMB16R20 能够在各种高电压、高功率的电子设计中提供可靠的性能支持,满足不同领域的需求。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

打样申请

序列号验证

在线咨询

电话咨询

400-655-8788

微信咨询

一键置顶

打样申请
序列号验证
在线咨询
电话咨询
微信咨询