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VBM18R10S 产品详细

产品简介:

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VBM18R10S 是一款高电压 N 沟道 MOSFET,采用 TO220 封装。这款器件基于多层 EPI 技术,能够承受高达 800V 的漏源电压,并提供稳定的开关性能。VBM18R10S 的设计使其在高电压环境下仍能保持较低的导通电阻,适合于高电压电源管理和功率控制应用。

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产品参数:

详细参数说明

- **型号**: VBM18R10S
- **封装**: TO220
- **配置**: 单 N 沟道
- **漏源电压 (VDS)**: 800V
- **栅源电压 (VGS)**: ±30V
- **栅阈值电压 (Vth)**: 3.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 600mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流 (ID)**: 10A
- **技术**: SJ_Multi-EPI

领域和模块应用:

应用领域和模块示例

1. **高电压电源转换器**:VBM18R10S 的高漏源电压能力使其适用于高电压电源转换器,如交流-直流 (AC-DC) 转换器和直流-直流 (DC-DC) 转换器。它能够在高电压条件下提供稳定的开关性能,确保电源系统的安全和高效。

2. **功率逆变器**:在功率逆变器中,VBM18R10S 可以用于高电压 DC-AC 转换过程,如太阳能逆变器和风能逆变器。其高电压承载能力和低导通电阻能够有效提升逆变器的整体性能和可靠性。

3. **高电压开关**:该 MOSFET 可用于高电压开关应用,如高压电源开关和负载开关。其设计能够处理高电压负载,适合用于工业设备和高电压控制电路。

4. **电机驱动系统**:在高电压电机驱动系统中,VBM18R10S 能够控制高电压电机的启动和运行。它的高电压承受能力和良好的导通性能使其适合用于大型工业电机和电动工具。

5. **电池管理系统**:该 MOSFET 可用于电池管理系统中的高电压控制模块,特别是在高电压储能系统和电动汽车电池管理中。它能够有效管理电池的充放电过程,提供稳定的性能和保护功能。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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