MOSFET

您现在的位置 > 首页 > MOSFET

VBE185R02 产品详细

产品简介:

产品简介:
VBE185R02是VBsemi品牌的单N沟道MOSFET,采用了Plannar技术,封装为TO252。该产品具有850V的漏极-源极电压(VDS),能够承受±30V的栅极-源极电压(VGS),并具有3.5V的阈值电压(Vth)。在VGS=4.5V时,具有8125mΩ的导通电阻,在VGS=10V时,具有6500mΩ的导通电阻。额定漏极电流(ID)为2A,适用于各种工业和电子应用领域。

文件下载

下载PDF 文档
立即下载

产品参数:

详细参数说明:
- 产品型号:VBE185R02
- 品牌:VBsemi
- 类型:单N沟道MOSFET
- VDS(漏极-源极电压):850V
- VGS(栅极-源极电压):±30V
- Vth(阈值电压):3.5V
- VGS=4.5V时的导通电阻:8125mΩ
- VGS=10V时的导通电阻:6500mΩ
- 额定漏极电流(ID):2A
- 技术:Plannar
- 封装:TO252

领域和模块应用:

适用领域和模块举例:
1. LED照明模块:VBE185R02具有较高的漏极电压和较低的导通电阻,在LED照明模块中可用作开关控制器,帮助实现LED灯的高效供电和调光控制。
2. 太阳能光伏逆变器:在太阳能发电系统中,逆变器用于将直流电转换为交流电,VBE185R02可用作逆变器的关键部件,帮助实现太阳能能源的高效转换和接入电网。
3. 电动汽车充电桩:在电动汽车充电桩中,需要承受高电压和电流的功率开关器件,VBE185R02可用于电动汽车充电桩的开关控制和电源管理,实现电动汽车的快速充电和安全供电。
4. 工业控制器件:在工业自动化控制领域,VBE185R02可用于工业控制模块中的开关控制和电源管理,例如温度控制、电机驱动等,帮助实现工业生产的自动化和智能化。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

打样申请

序列号验证

在线咨询

电话咨询

400-655-8788

微信咨询

一键置顶

打样申请
序列号验证
在线咨询
电话咨询
微信咨询