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VBM165R02S 产品详细

产品简介:

一、VBM165R02S 产品简介

VBM165R02S 是一款高电压 N 沟道 MOSFET,采用 TO220 封装。这款 MOSFET 设计用于需要高电压承受能力的开关应用,支持高达 650V 的漏源电压 (VDS) 和 ±30V 的栅源电压 (VGS)。它使用了 SJ_Multi-EPI 技术,阈值电压 (Vth) 为 3.3V。在 10V 的栅源电压下,导通电阻为 2300mΩ,能够处理高达 2A 的连续漏极电流 (ID)。VBM165R02S 适合用于高电压电源管理和工业控制等需要高电压和高功率处理的场景。

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产品参数:

二、VBM165R02S 详细参数说明

| 参数 | 值 | 单位 |
|------------------------|--------------------------|--------|
| 产品型号 | VBM165R02S | |
| 封装 | TO220 | |
| 配置 | 单 N 沟道 | |
| 漏源电压 (VDS) | 650 | V |
| 栅源电压 (VGS) | ±30 | V |
| 阈值电压 (Vth) | 3.3 | V |
| 导通电阻 (RDS(ON)) | 2300 (VGS = 10V) | mΩ |
| 连续漏极电流 (ID) | 2 | A |
| 瞬时脉冲漏极电流 (ID(pulse)) | 6 | A |
| 最大功耗 (Ptot) | 25 | W |
| 工作温度范围 | -55 至 +150 | °C |
| 存储温度范围 | -55 至 +150 | °C |
| 技术 | SJ_Multi-EPI | |

领域和模块应用:

三、应用领域和模块示例

VBM165R02S 的高电压能力和较高的功耗处理能力使其在多个领域和应用中表现优异,特别是在高电压环境中。以下是几个具体的应用示例:

1. **高电压电源开关**:在高电压电源管理系统中,VBM165R02S 可用作高电压开关元件,如高电压 DC-DC 转换器和电源开关。其高漏源电压和良好的功率处理能力使其适合处理高电压负载。

2. **工业电源**:在工业自动化和电源控制系统中,VBM165R02S 可用于高电压负载的控制和保护。其高电压规格和耐久性使其在工业应用中表现可靠,尤其是在需要高功率开关的场合。

3. **电力转换设备**:在电力转换和分配设备中,如逆变器和功率模块,VBM165R02S 可作为关键开关元件。其高电压承受能力和高功率处理能力有助于提升设备的效率和可靠性。

4. **电源保护系统**:在电源保护和过电压保护系统中,VBM165R02S 可以用作保护开关,确保系统在过电压或异常条件下保持安全。其高电压能力使其特别适合于电源保护应用。

这些应用示例展示了 VBM165R02S 在高电压环境中的关键作用,特别是在高电压电源开关、电源保护系统和电力转换设备中。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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