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VBM15R20S 产品详细

产品简介:

产品简介

**VBM15R20S** 是一款高耐压 N 通道 MOSFET,采用 TO220 封装。该 MOSFET 使用 SJ_Multi-EPI 技术,设计用于处理高电压应用,具备高电流承载能力和适中的导通电阻。其高耐压特性和优秀的电流处理能力使其适合用于高电压和高功率的应用场合,提供可靠的开关性能和高效能。

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产品参数:

详细参数说明

- **封装**:TO220
- **配置**:单 N 通道
- **漏源电压(VDS)**:500V
- **栅源电压(VGS)**:±30V
- **栅源阈值电压(Vth)**:3.3V
- **导通电阻(RDS(ON))**:140mΩ(在 VGS = 10V 时)
- **最大漏电流(ID)**:20A
- **技术**:SJ_Multi-EPI 技术

领域和模块应用:

应用领域和模块示例

**VBM15R20S** 的高电压承载能力和优异的电流处理性能使其在多个领域和模块中表现卓越,具体包括:

1. **电源管理**:
- **高压开关电源**:在高压开关电源设计中,VBM15R20S 作为开关元件,能够处理高达 500V 的电压。其高电流处理能力和适中的 RDS(ON) 能够确保电源系统的高效和稳定运行。

2. **工业电源**:
- **高压电源控制**:在工业电源系统中,这款 MOSFET 适用于高压电源控制和开关任务。其高 VDS 和较低的 RDS(ON) 使其能够有效管理高电压和高电流负载,提高系统的效率和可靠性。

3. **电动汽车**:
- **电池管理系统**:在电动汽车的电池管理系统中,VBM15R20S 的高耐压和高电流承载能力使其适合用于高压电池管理和电源开关,确保电池系统的安全性和性能。

4. **功率放大器**:
- **高压功率放大器**:在功率放大器应用中,MOSFET 的高 VDS 特性允许其处理高电压信号。其高电流能力和合理的导通电阻能够支持高功率应用,提供稳定和高效的功率放大。

5. **变频器和驱动器**:
- **高压变频器和驱动器**:在变频器和驱动器中,VBM15R20S 可用于高压开关和控制,处理高电压和高功率应用中的开关任务,确保系统的可靠性和高效性。

这些应用示例展示了 VBM15R20S 的高电压承载能力和良好的电流处理性能,特别适用于需要处理高电压和高功率的电子系统。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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