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VBMB18R10S 产品详细

产品简介:

产品简介

VBMB18R10S 是一款高电压 N 型 MOSFET,封装形式为 TO-220F。它具有高达 800V 的漏极-源极耐压(VDS),适用于高电压应用。栅极-源极最大电压为 ±30V,确保了器件在各种操作条件下的安全性。其门槛电压(Vth)为 3.3V,意味着该 MOSFET 在较低的栅极电压下也能有效导通。在栅极电压为 10V 时,其导通电阻(RDS(ON))为 600mΩ,提供可靠的低损耗性能。最大连续漏极电流(ID)为 10A,适合中等电流应用。采用了 SJ_Multi-EPI 技术,进一步提升了器件的性能和耐用性。

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产品参数:

详细参数说明

- **型号**: VBMB18R10S
- **封装形式**: TO-220F
- **配置**: 单 N 型 MOSFET
- **漏极-源极耐压 (VDS)**: 800V
- **栅极-源极最大电压 (VGS)**: ±30V
- **门槛电压 (Vth)**: 3.3V
- **导通电阻 (RDS(ON))**: 600mΩ (VGS = 10V)
- **最大连续漏极电流 (ID)**: 10A
- **技术**: SJ_Multi-EPI

领域和模块应用:

应用领域和模块示例

VBMB18R10S MOSFET 的高电压耐受能力和低导通电阻,使其适用于以下领域和模块:

1. **电源管理**:
- **高压开关电源**: 在高压开关电源中,VBMB18R10S 可作为开关元件使用,处理高电压和中等电流,确保电源转换效率和可靠性。
- **DC-DC 转换器**: 适用于高压 DC-DC 转换器,提供高效的开关性能和低功耗,确保系统的稳定性。

2. **工业应用**:
- **电机驱动系统**: 在电机驱动系统中,VBMB18R10S 能处理高电压和中等电流,适用于需要高功率开关的应用,如工业电机控制和自动化设备。
- **高压开关控制**: 适用于工业设备中的高压开关控制电路,提供稳定的开关性能和长寿命。

3. **电气保护**:
- **高压保护电路**: 在高压保护电路中,VBMB18R10S 可用作开关元件,保护电路免受过电压和过电流的损害,确保系统的安全运行。
- **功率模块**: 适用于高压功率模块中,提供高电压耐受能力和低导通电阻,增强系统的稳定性和效率。

总之,VBMB18R10S MOSFET 的高电压耐受能力和低导通电阻,使其在电源管理、工业应用和电气保护等高电压环境下表现出色,是高效和可靠的选择。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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