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VBM1805 产品详细

产品简介:

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VBM1805 是一款高性能单 N 沟道 MOSFET,采用 TO220 封装。该器件基于先进的沟槽技术,具有高电流处理能力和极低的导通电阻,能够在高压环境下提供优异的开关性能。VBM1805 设计用于高电流和高效电源管理应用,适合在需要高效能和高可靠性的场合使用。

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产品参数:

详细参数说明

- **型号**: VBM1805
- **封装**: TO220
- **配置**: 单 N 沟道
- **漏源电压 (VDS)**: 80V
- **栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **栅阈值电压 (Vth)**: 3.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 4.8mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流 (ID)**: 160A
- **技术**: Trench

领域和模块应用:

应用领域和模块示例

1. **高功率电源管理**:VBM1805 的高电流处理能力和极低的导通电阻使其非常适合用于高功率电源管理应用,例如高效 DC-DC 转换器和电源模块。它能够显著减少功率损耗,提高系统效率,适用于高功率计算机电源和工业电源。

2. **电机驱动**:在电机驱动系统中,VBM1805 的高电流承载能力使其适用于大功率电机的控制和驱动。它能够提供稳定的电流供应,适合于电动工具、工业电机和汽车电机控制。

3. **电池管理系统**:由于其优异的开关性能和低导通电阻,VBM1805 适用于电池管理系统中的开关和功率管理功能。它能够有效地控制充电和放电过程,提高电池系统的效率和寿命,特别适合于电动汽车和储能系统。

4. **功率逆变器**:VBM1805 可以用于功率逆变器的开关部分,在太阳能光伏系统和风能发电系统中提供高效的电能转换。它的高电流处理能力和低功耗特性有助于提升逆变器的整体性能和稳定性。

5. **高频开关应用**:在高频开关应用中,VBM1805 的低导通电阻和高电流能力使其适合用于高频开关电路,如高频电源转换器和开关调节器。它能够在高频操作下保持优良的开关性能,适用于各种高频电子设备和电源系统。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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