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VBN195R03 产品详细

产品简介:

一、VBN195R03 产品简介

VBN195R03 是一款高电压 N 沟道 MOSFET,采用 TO262 封装。这款 MOSFET 设计用于高电压开关应用,支持高达 950V 的漏源电压 (VDS) 和 ±30V 的栅源电压 (VGS)。VBN195R03 采用 Plannar 技术,阈值电压 (Vth) 为 3.2V。在 10V 的栅源电压下,其导通电阻为 5400mΩ,并能够处理高达 3.6A 的连续漏极电流 (ID)。这款 MOSFET 特别适合用于需要高电压承受能力的应用场景,如高电压电源开关和工业控制系统。

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产品参数:

二、VBN195R03 详细参数说明

| 参数 | 值 | 单位 |
|------------------------|--------------------------|--------|
| 产品型号 | VBN195R03 | |
| 封装 | TO262 | |
| 配置 | 单 N 沟道 | |
| 漏源电压 (VDS) | 950 | V |
| 栅源电压 (VGS) | ±30 | V |
| 阈值电压 (Vth) | 3.2 | V |
| 导通电阻 (RDS(ON)) | 5400 (VGS = 10V) | mΩ |
| 连续漏极电流 (ID) | 3.6 | A |
| 瞬时脉冲漏极电流 (ID(pulse)) | 10 | A |
| 最大功耗 (Ptot) | 45 | W |
| 工作温度范围 | -55 至 +175 | °C |
| 存储温度范围 | -55 至 +175 | °C |
| 技术 | Plannar | |

领域和模块应用:

三、应用领域和模块示例

VBN195R03 的高电压能力和低导通电阻特性使其在多个领域和应用中表现优异,尤其是在高电压环境中。以下是几个具体的应用示例:

1. **高电压电源开关**:在需要承受高电压的电源开关应用中,VBN195R03 能够有效地切换高电压负载。其高电压耐受能力和较高的功率处理能力使其适合用于高压 DC-DC 转换器和电源管理系统中。

2. **工业控制系统**:在工业控制和自动化系统中,VBN195R03 可用于控制高电压负载。其高电压规格和高功耗处理能力使其适用于电机控制、功率开关和保护电路等应用。

3. **电源保护**:在高电压电源保护系统中,VBN195R03 可以用作开关或保护元件,防止电源系统出现过电压情况。其高电压承受能力和稳定性使其适合用于电源保护模块中。

4. **电力设备**:在电力设备中,如高压变换器和电力开关,VBN195R03 能够处理高电压应用中的关键开关功能。其高电流能力和高耐压特性使其适合于各种高电压电力设备。

这些应用示例展示了 VBN195R03 在高电压环境中的关键作用,尤其是在高电压电源开关、工业控制和电力设备中。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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