MOSFET

您现在的位置 > 首页 > MOSFET

VBM15R11S 产品详细

产品简介:

产品简介

**VBM15R11S** 是一款高耐压 N 通道 MOSFET,采用 TO220 封装。该 MOSFET 使用 SJ_Multi-EPI 技术,设计用于处理高电压应用。其具有较高的漏源电压能力和适中的导通电阻,适合在要求高耐压和高可靠性的应用场合使用。该 MOSFET 具有较好的开关性能,能够在高电压环境下稳定运行。

文件下载

下载PDF 文档
立即下载

产品参数:

详细参数说明

- **封装**:TO220
- **配置**:单 N 通道
- **漏源电压(VDS)**:500V
- **栅源电压(VGS)**:±30V
- **栅源阈值电压(Vth)**:3.2V
- **导通电阻(RDS(ON))**:380mΩ(在 VGS = 10V 时)
- **最大漏电流(ID)**:11A
- **技术**:SJ_Multi-EPI 技术

领域和模块应用:

应用领域和模块示例

**VBM15R11S** 的高电压承载能力和稳定性能使其在多个领域和模块中表现出色,具体包括:

1. **电源管理**:
- **高压开关电源**:在高压开关电源设计中,VBM15R11S 可以作为主要开关元件,处理高达 500V 的电压,其高耐压特性能够确保电源系统的稳定性和安全性。

2. **工业电源**:
- **高压电源控制**:在工业电源系统中,这款 MOSFET 可用于高压电源控制和开关任务。其高 VDS 和适中的 RDS(ON) 特性能够处理高电压应用中的电流需求,确保系统高效稳定。

3. **电动汽车**:
- **高电压电池管理系统**:在电动汽车的电池管理系统中,VBM15R11S 的高电压耐受性使其适合用于高压电池管理和电源开关,确保系统的可靠性和安全性。

4. **功率放大器**:
- **高压功率放大器**:在功率放大器应用中,MOSFET 的高 VDS 特性允许其处理高电压信号,提供稳定的开关性能和高效的功率转换。

5. **变频器和驱动器**:
- **高压变频器和驱动器**:在变频器和驱动器中,VBM15R11S 可用于高压开关和控制,处理高电压和高功率应用中的开关任务,确保驱动系统的可靠性和高效能。

这些应用示例展示了 VBM15R11S 的高电压承载能力和稳定性能,特别适用于需要处理高电压和高功率的电子系统。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

打样申请

序列号验证

在线咨询

电话咨询

400-655-8788

微信咨询

一键置顶

打样申请
序列号验证
在线咨询
电话咨询
微信咨询