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VBFB16R02S 产品详细

产品简介:

VBFB16R02S 产品简介

VBFB16R02S是一款高电压单N沟道MOSFET,采用TO251封装,设计用于需要高电压和低电流的应用。该MOSFET具有600V的漏源电压(VDS)和±30V的栅源电压(VGS),阈值电压为3.3V。它采用SJ_Multi-EPI技术,提供较高的导通电阻,在VGS为10V时的导通电阻为2300mΩ,最大漏极电流(ID)为2A。VBFB16R02S适合用于高电压开关和保护电路,能够在高电压条件下保持可靠的性能。

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产品参数:

VBFB16R02S 详细参数说明

| 参数 | 值 | 单位 |
|--------------------|-------------------|------|
| 封装类型 | TO251 | |
| 配置 | 单N沟道 | |
| 漏源电压 (VDS) | 600 | V |
| 栅源电压 (VGS) | ±30 | V |
| 阈值电压 (Vth) | 3.3 | V |
| 导通电阻 (RDS(ON)) | 2300 (VGS=10V) | mΩ |
| 最大漏极电流 (ID) | 2 | A |
| 技术 | SJ_Multi-EPI | |

领域和模块应用:

VBFB16R02S 适用领域和模块

1. **高电压开关(High-Voltage Switching)**:
VBFB16R02S在高电压开关应用中表现出色,特别适用于需要600V的高电压开关任务。其高漏源电压能力和高电流处理能力使其能够在电源管理和高电压控制中稳定工作,确保系统的安全和可靠。

2. **电源保护(Power Protection)**:
在电源保护应用中,VBFB16R02S能够有效处理高电压和低电流的保护任务。其高电压能力和较高的导通电阻使其在过电压保护和保护电路中表现可靠,能够防止电源系统损坏和确保设备的安全运行。

3. **逆变器(Inverters)**:
在逆变器应用中,VBFB16R02S能够处理高电压负载,适用于高电压逆变电路的开关和控制。其600V的漏源电压能力使其在逆变器电路中提供可靠的开关性能,适合于工业和家用逆变器设计。

4. **电力电子设备(Power Electronics)**:
该MOSFET适用于各种电力电子设备,如高电压变换器和电力调节器。其高电压处理能力和低电流特性使其能够在电力电子应用中提供高效的开关控制和稳定的性能。

5. **照明系统(Lighting Systems)**:
在高电压照明系统中,VBFB16R02S能够有效控制高电压负载,适用于LED驱动和高压灯控制。其高电压能力和可靠的开关性能确保了照明系统的高效运作和长期稳定性。

VBFB16R02S凭借其高电压和低电流处理能力以及较高的导通电阻,适用于各种高电压和低电流的应用,为电源管理、电源保护和电力电子设备提供了可靠的解决方案。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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