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VBR9N2001K 产品详细

产品简介:

VBR9N2001K 产品简介

**VBR9N2001K** 是一款高耐压 N-channel MOSFET,采用 TO-92 封装,适用于各种高电压、高可靠性应用。该器件能够承受高达 200V 的漏源电压,且具备相对较高的电流承载能力,最大漏极电流为 0.6A。VBR9N2001K 采用 Trench 结构,具有较低的导通电阻,适合用于高电压电源管理和开关应用。

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产品参数:

详细参数说明

- **封装类型**: TO-92
- **配置**: 单极性(Single-N)
- **漏源电压 (V_DS)**: 200V
- **栅源电压 (V_GS)**: ±20V
- **阈值电压 (V_th)**: 0.5V
- **导通电阻 (R_DS(on))**:
- 1200 mΩ @ V_GS = 4.5V
- 1000 mΩ @ V_GS = 10V
- **最大漏极电流 (I_D)**: 0.6A
- **结构**: Trench

领域和模块应用:

应用领域和模块

**VBR9N2001K** 适用于需要高耐压和高可靠性的应用领域。以下是一些具体的应用领域和模块示例:

1. **高电压开关**:
- 在高电压电源开关应用中,VBR9N2001K 可用于控制高电压线路的开关状态,其高漏源电压能力使其能够在高电压环境下稳定工作。

2. **电源保护**:
- 在电源保护电路中,VBR9N2001K 能够承受高达 200V 的电压,适合用作过压保护开关,帮助保护电路免受过电压损害。

3. **电力转换**:
- 在高电压的电力转换器中,VBR9N2001K 可以作为开关元件,帮助实现高电压到低电压的转换过程,确保转换的稳定性和安全性。

4. **工业设备**:
- 在工业控制设备中,VBR9N2001K 的高电压耐受能力使其适用于工业电源管理和开关控制,确保设备在恶劣环境下的稳定运行。

通过以上应用,VBR9N2001K 能够在各种高电压、高可靠性的电子设计中提供有效的性能支持,满足不同领域的高电压需求。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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