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VBN185R04 产品详细

产品简介:

产品简介

**VBN185R04** 是一款采用 Trench 技术的单极 N 通道 MOSFET,封装形式为 TO262。这款 MOSFET 设计用于高电压、高功率的开关应用,具有较高的漏极-源极电压和较大的电流承载能力。适用于需要高电压处理能力的应用场合,如工业电源管理和高功率转换器等。

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产品参数:

详细参数说明

- **封装**:TO262
- **配置**:单极 N 通道
- **最大漏极-源极电压 (VDS)**:850V
- **最大栅极-源极电压 (VGS)**:±30V
- **栅极阈值电压 (Vth)**:3.5V
- **导通电阻 (RDS(on))**:
- 2700mΩ @ VGS = 10V
- **最大连续漏极电流 (ID)**:4.1A
- **技术**:Trench 技术

领域和模块应用:

适用领域与模块举例

**VBN185R04** 的设计特点使其适用于以下多个应用领域和模块:

1. **高压电源管理**:
- 在需要处理高电压的电源管理系统中,如高压 DC-DC 转换器和电源供应模块,该 MOSFET 可以作为高电压开关使用,确保系统稳定工作并提供可靠的电流控制。

2. **工业电源系统**:
- 在工业电源系统中,VBN185R04 可用于电源开关和高功率转换应用。其高电压耐受性使其能够处理工业设备中的高电压条件,保障系统的安全运行和高效能。

3. **高功率转换器**:
- 适用于高功率的转换器系统,如大功率逆变器和电动机驱动器。其高电压和较大电流承载能力使其能够在高功率应用中有效工作,提供稳定的性能和长寿命。

4. **电力电子系统**:
- 在电力电子系统中,例如电力调节和开关应用,该 MOSFET 能够处理高电压并支持中等电流负载,适合用于电力转换和调节模块。

5. **电气保护电路**:
- 在电气保护电路中,如过电压保护和高压开关电路,VBN185R04 能够提供必要的保护功能,防止过电压对电路造成损害,同时维持电路的正常运行。

综上所述,VBN185R04 是一款适用于高电压和中等电流应用的 MOSFET,具有高电压耐受性和可靠的开关性能,特别适合用于工业电源管理和高功率转换器系统中。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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