产品参数:
详细参数说明
- **型号**: VBG5638
- **封装**: DIP8
- **配置**: 双极性(N 沟道 + P 沟道)
- **漏源电压 (VDS)**: ±60V
- **栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **栅阈值电压 (Vth)**: ±2V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- N 沟道: 47mΩ @ VGS = 4.5V
- P 沟道: 60mΩ @ VGS = 4.5V
- N 沟道: 42mΩ @ VGS = 10V
- P 沟道: 55mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流 (ID)**: 4.7A (N 沟道) / -4A (P 沟道)
- **技术**: Trench
领域和模块应用:
应用领域和模块示例
1. **双极性电源开关**:VBG5638 的双极性配置使其非常适合用于双极性电源开关应用。它能够同时处理正负电压,适用于多种电源管理系统,例如模拟信号处理和音频放大器电路。
2. **电流控制器**:由于其集成了 N 沟道和 P 沟道 MOSFET,VBG5638 适用于双向电流控制器。它能够在单个器件中提供高效的电流控制和开关功能,广泛应用于电机驱动和电源管理模块。
3. **H 桥电路**:在 H 桥电路应用中,VBG5638 可以用于控制直流电机的方向和速度。其双极性设计使其能够在同一电路中实现正向和反向电流控制,适用于机器人和自动化控制系统。
4. **DC-DC 转换器**:该 MOSFET 的双极性配置使其适用于双向 DC-DC 转换器,能够有效管理输入和输出电压。其低导通电阻和高效的电流处理能力使其在高效电源转换应用中表现出色。
5. **电池管理系统**:在电池管理系统中,VBG5638 的双极性特性能够同时处理充电和放电过程,优化电池的使用效率和寿命。特别适用于需要精确电流控制和管理的储能系统,如电动汽车和可再生能源系统。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性