产品参数:
详细参数说明
- **V_DS(漏源电压)**: 20V
MOSFET漏极与源极之间能够承受的最大电压。
- **V_GS(栅源电压)**: ±20V
MOSFET栅极与源极之间允许的最大电压。
- **V_th(栅极阈值电压)**: 1.5V
使MOSFET开始导通所需的最小栅源电压。
- **R_DS(ON)(漏源导通电阻)**:
- 23mΩ @ V_GS = 4.5V
- 17mΩ @ V_GS = 10V
MOSFET在导通状态下漏极与源极之间的电阻。较低的R_DS(ON)值表明更高的开关效率和更低的功率损耗。
- **I_D(连续漏极电流)**: 4.8A
MOSFET能够承受的最大连续漏极电流。
- **技术**: Trench
采用Trench技术,提供低导通电阻和高电流处理能力。
领域和模块应用:
应用领域
VBBD3222 MOSFET适用于多种需要高效开关和低导通电阻的应用场景,特别是在电源管理和便携式设备领域:
1. **电源管理**:
- **DC-DC转换器**: 在DC-DC转换器中作为开关元件,提供高效电力转换,确保低功耗和高可靠性。
- **负载开关**: 用于各种电源管理应用中,提供高效开关能力和低导通电阻。
2. **便携式设备**:
- **电池管理系统**: 在便携式设备的电池管理系统中,提供高效的电力管理和低功耗开关,延长设备的电池寿命。
- **智能手机和平板电脑**: 在智能手机和平板电脑中,提供高效电源开关和电流控制,确保设备的高性能和低功耗。
3. **消费电子**:
- **电源管理单元**: 在各种消费电子产品中的电源管理单元,提供高效、可靠的电源开关和电流控制。
- **充电设备**: 在充电设备中,提供高效的电力管理和低功耗操作,确保充电效率和设备安全。
4. **工业控制**:
- **控制系统**: 在工业控制系统中,提供稳定的开关性能和高效的电流处理能力,确保系统的可靠性和高效性。
- **传感器接口**: 在传感器接口中,用于高效电源开关和电流管理,确保传感器的精确性和稳定性。
VBBD3222以其低导通电阻和高电流处理能力,适合各种需要高效开关和低功耗的应用场景,确保系统的高效性和可靠性。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性