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VBE17R20S 产品详细

产品简介:

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VBsemi VBE17R20S 是一款单N沟道场效应晶体管,具有高达700V的漏极-源极电压(VDS)和20A的漏极电流(ID)。采用SJ_Multi-EPI技术制造,具有优异的性能和稳定性。封装为TO252,适用于各种应用场合。

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产品参数:

详细参数说明:
- 型号:VBE17R20S
- 品牌:VBsemi
- 类型:单N沟道场效应晶体管
- 漏极-源极电压(VDS):700V
- 栅极-源极电压(VGS):±30V
- 阈值电压(Vth):3.5V
- 在VGS=10V时的导通电阻(mΩ):160
- 漏极电流(ID):20A
- 工艺技术:SJ_Multi-EPI
- 封装:TO252

领域和模块应用:

适用领域和模块示例:
1. 电源模块:由于其高漏极电压和漏极电流,适用于开关电源和直流-直流变换器等高功率电源模块。
2. 电动车辆控制器:用于电动车辆控制器中的功率开关模块,实现电动车辆的高效驱动和控制。
3. 工业驱动器:可用于工业驱动器中的电机驱动模块,提高工业生产设备的效率和可靠性。
4. 太阳能逆变器:适用于太阳能逆变器中的开关模块,将太阳能电池板的直流输出转换为交流电。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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