VBE17R20S - VBsemi MOS管制造商

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VBsemi VBE17R20S 是一款单N沟道场效应晶体管，具有高达700V的漏极-源极电压（VDS）和20A的漏极电流（ID）。采用SJ_Multi-EPI技术制造，具有优异的性能和稳定性。封装为TO252，适用于各种应用场合。

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产品参数：

详细参数说明：
- 型号：VBE17R20S
- 品牌：VBsemi
- 类型：单N沟道场效应晶体管
- 漏极-源极电压（VDS）：700V
- 栅极-源极电压（VGS）：±30V
- 阈值电压（Vth）：3.5V
- 在VGS=10V时的导通电阻（mΩ）：160
- 漏极电流（ID）：20A
- 工艺技术：SJ_Multi-EPI
- 封装：TO252

领域和模块应用：

适用领域和模块示例：
1. 电源模块：由于其高漏极电压和漏极电流，适用于开关电源和直流-直流变换器等高功率电源模块。
2. 电动车辆控制器：用于电动车辆控制器中的功率开关模块，实现电动车辆的高效驱动和控制。
3. 工业驱动器：可用于工业驱动器中的电机驱动模块，提高工业生产设备的效率和可靠性。
4. 太阳能逆变器：适用于太阳能逆变器中的开关模块，将太阳能电池板的直流输出转换为交流电。

*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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