MOSFET

您现在的位置 > 首页 > MOSFET

VBA3316SA 产品详细

产品简介:

一、VBA3316SA 产品简介

VBA3316SA 是一款高性能双 N 沟道 MOSFET,采用 SOP8 封装。它设计用于需要高效开关和低导通电阻的电路。该 MOSFET 支持高达 30V 的漏源电压 (VDS) 和 ±20V 的栅源电压 (VGS),采用了先进的 Trench 技术,阈值电压 (Vth) 在 1V 至 3V 之间。VBA3316SA 在 4.5V 的栅源电压下,其导通电阻为 21.6mΩ,而在 10V 的栅源电压下,导通电阻降至 18mΩ。该 MOSFET 支持单通道最高 6.8A 的连续漏极电流,或通过并联使用可以支持高达 10A 的电流。它的设计使其非常适合于高电流、高效率的开关应用。

文件下载

下载PDF 文档
立即下载

产品参数:

二、VBA3316SA 详细参数说明

| 参数 | 值 | 单位 |
|------------------------|--------------------------|--------|
| 产品型号 | VBA3316SA | |
| 封装 | SOP8 | |
| 配置 | 双 N 沟道 | |
| 漏源电压 (VDS) | 30 | V |
| 栅源电压 (VGS) | ±20 | V |
| 阈值电压 (Vth) | 1~3 | V |
| 导通电阻 (RDS(ON)) | 21.6 (VGS = 4.5V) | mΩ |
| | 18 (VGS = 10V) | mΩ |
| 连续漏极电流 (ID) | 6.8(单通道) | A |
| | 10 (并联) | A |
| 瞬时脉冲漏极电流 (ID(pulse)) | 22 | A |
| 最大功耗 (Ptot) | 2.5 | W |
| 工作温度范围 | -55 至 +150 | °C |
| 存储温度范围 | -55 至 +150 | °C |
| 技术 | Trench | |

领域和模块应用:

三、应用领域和模块示例

VBA3316SA 的高电流能力和低导通电阻特性使其在多个领域和应用中表现优异,特别是在需要高效开关和低功耗的场景中。以下是几个具体的应用示例:

1. **电源管理**:在开关电源和 DC-DC 转换器中,VBA3316SA 能够作为高效的开关元件,提高电源效率并减少功耗。其低导通电阻和高电流处理能力使其非常适合于电源管理模块中的关键开关应用。

2. **电池保护**:在电池管理系统 (BMS) 中,VBA3316SA 可用于电池的保护和控制功能。其高电流能力和低导通电阻帮助提高电池的安全性和整体系统的效率,尤其是在电动汽车和便携式电子设备中。

3. **通信设备**:在通信设备中,例如基站和无线通信设备,VBA3316SA 可以用作高效的开关元件,确保设备的稳定性和高效能。其低导通电阻有助于减少功耗,提高设备的可靠性。

4. **工业控制**:在工业自动化和控制系统中,VBA3316SA 可用于负载开关和功率控制应用,如电机驱动和负载开关。其高电流能力和高效开关特性适合于工业设备中的关键控制功能。

这些应用示例展示了 VBA3316SA 在需要高效开关和低导通损耗的场景中的关键作用,尤其是在电源管理、电池保护和通信设备中。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

打样申请

序列号验证

在线咨询

电话咨询

400-655-8788

微信咨询

一键置顶

打样申请
序列号验证
在线咨询
电话咨询
微信咨询