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VBGC2610N 产品详细

产品简介:

VBGC2610N 产品简介

**VBGC2610N** 是一款单P沟道功率MOSFET,采用 Trench 技术制造,封装形式为 DIP8。这款 MOSFET 具有中等电压和电流能力,适用于各种需要高效开关和放大功能的电子设备。其低导通电阻和优异的电气性能使其成为各种应用场景中的可靠选择。

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产品参数:

详细参数说明

- **封装(Package):** DIP8
- **配置(Configuration):** 单P沟道
- **最大漏源电压(VDS):** -60V
- **最大栅源电压(VGS):** ±20V
- **阈值电压(Vth):** -2V
- **导通电阻(RDS(on)):** 100mΩ @ VGS = 10V
- **最大连续漏极电流(ID):** -3A
- **技术(Technology):** Trench

领域和模块应用:

适用领域与模块举例

**VBGC2610N** 的特性使其适用于多个领域和模块,包括:

1. **电源管理:**
VBGC2610N 非常适合用于电源管理模块,特别是在负电压电源应用中。其P沟道特性使其能够在负电压条件下高效地进行电源转换和调节,确保设备在各种操作条件下的稳定运行。

2. **开关电源(SMPS):**
在开关模式电源中,VBGC2610N 可以用作开关元件,帮助实现高效的能量转换。其低导通电阻和中等电流能力(-3A)能够有效降低开关损耗,提高电源的整体效率。

3. **电池管理系统(BMS):**
在电池管理系统中,该MOSFET 能够控制电池的放电过程,确保电池在安全范围内工作。其高耐压(-60V)和低导通电阻(100mΩ @ VGS = 10V)使其成为电池管理应用中的理想选择。

4. **负载开关:**
VBGC2610N 适用于各种负载开关应用,例如消费电子和工业设备中的负载控制。其P沟道特性和优异的开关性能使其能够高效地控制电流流动,确保设备的可靠性和稳定性。

5. **消费电子:**
在消费电子产品如智能手机、平板电脑和便携式设备中,VBGC2610N 可用于电源管理和负载开关,帮助优化电源分配和电流控制,提高设备的能效和使用寿命。

综上所述,VBGC2610N 是一款高性能的P沟道 MOSFET,适用于电源管理、开关电源、电池管理、负载开关和消费电子等多个领域。其优异的电气性能和可靠性使其成为各种应用场景中的理想选择。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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