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VBGC1201K 产品详细

产品简介:

产品简介

**VBGC1201K** 是一款采用 Trench 技术的单极 N 通道 MOSFET,封装形式为 DIP8。该 MOSFET 设计用于高电压应用,能够承受高达 200V 的漏极-源极电压。虽然其电流承载能力较低(0.6A),但它在高电压条件下能够稳定工作,适用于需要高电压处理能力但电流较小的应用场景。

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产品参数:

详细参数说明

- **封装**:DIP8
- **配置**:单极 N 通道
- **最大漏极-源极电压 (VDS)**:200V
- **最大栅极-源极电压 (VGS)**:±20V
- **栅极阈值电压 (Vth)**:2V
- **导通电阻 (RDS(on))**:
- 1200mΩ @ VGS = 4.5V
- 1000mΩ @ VGS = 10V
- **最大连续漏极电流 (ID)**:0.6A
- **技术**:Trench 技术

领域和模块应用:

适用领域与模块举例

**VBGC1201K** 的设计特点使其适用于多个特定应用领域,包括:

1. **高电压开关**:该 MOSFET 的 200V 最大漏极-源极电压使其特别适用于需要高电压处理的开关应用。它可以用作高电压保护电路的开关元件,例如高电压电源的保护开关,以确保系统在异常情况下的安全性。

2. **小功率电源管理**:在高电压但低电流的电源管理系统中,例如低功率电源模块和线性稳压器,这款 MOSFET 能够提供适当的开关功能。虽然其导通电阻较高,但在电流较小的应用中依然能够有效工作。

3. **信号开关**:在高电压信号处理应用中,如高压测试设备和信号切换电路,VBGC1201K 能够稳定地开关高电压信号,适应高电压环境中的需求。

4. **工业控制**:在某些工业控制应用中,如高电压传感器接口或电压保护电路,该 MOSFET 的高电压能力能够提供可靠的控制和保护,确保工业设备的安全和可靠运行。

5. **汽车电子**:虽然其电流能力有限,但其高电压处理能力使其适合用于汽车电子系统中的高电压保护电路,确保汽车电气系统在高电压情况下的稳定性和安全性。

总结来说,VBGC1201K 是一款具备高电压承受能力和较高导通电阻的 MOSFET,适合于高电压开关和小功率电源管理应用。它特别适用于需要在高电压条件下工作的场景。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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