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VBE17R15S 产品详细

产品简介:

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VBsemi VBE17R15S 是一款单 N 型 MOSFET,采用 SJ_Multi-EPI 技术制造,封装为 TO252。该产品具有700V 的 VDS 额定电压,30V 的 VGS 最大偏置电压,以及3.5V 的阈值电压。它的导通电阻(VGS=10V)为260mΩ,最大漏极电流为15A,适用于各种中低压应用场景。

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产品参数:

详细参数说明:

1. VDS(漏极-源极电压):700V
2. VGS(栅极-源极电压):±30V
3. 阈值电压(Vth):3.5V
4. VGS=10V 时的导通电阻:260mΩ
5. 最大漏极电流(ID):15A
6. 技术:SJ_Multi-EPI
7. 封装:TO252

领域和模块应用:

适用领域和模块示例:

1. 电源逆变器:VBE17R15S 可以用于中低压电源逆变器中的功率开关模块,如太阳能逆变器、变频空调和电动汽车充电器,以实现高效能的能量转换。

2. 工业控制器:该产品适用于工业控制领域中的各种控制器,如变频调速器、工业机器人和自动化生产线,用于实现精确的电力控制和调节。

3. LED 照明驱动器:在 LED 照明系统中,VBE17R15S 可用作 LED 驱动器的开关元件,实现 LED 灯珠的调光和开关控制,提高照明系统的能效和稳定性。

4. 电动车辆充电控制器:在电动车辆充电系统中,该产品可用作充电控制器的开关器件,实现充电电流的控制和电池充电管理,保障充电过程的安全和稳定。

5. 太阳能光伏逆变器:在太阳能光伏系统中,VBE17R15S 可用作逆变器的开关元件,将太阳能板产生的直流电转换为交流电,供电给家庭、商业和工业用途。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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