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VBQF1606 产品详细

产品简介:

一、VBQF1606 产品简介

VBQF1606 是一款高性能单 N 沟道 MOSFET,封装形式为 DFN8(3x3)。这款 MOSFET 设计用于高效开关应用,支持高达 60V 的漏源电压 (VDS) 和 ±20V 的栅源电压 (VGS)。VBQF1606 采用先进的 Trench 技术,具有 3V 的阈值电压 (Vth)。在 10V 的栅源电压下,其导通电阻低至 5mΩ,并且能够处理高达 30A 的连续漏极电流 (ID)。这些特性使得 VBQF1606 特别适合于高电流、高效能的开关应用。

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产品参数:

二、VBQF1606 详细参数说明

| 参数 | 值 | 单位 |
|------------------------|--------------------------|--------|
| 产品型号 | VBQF1606 | |
| 封装 | DFN8(3x3) | |
| 配置 | 单 N 沟道 | |
| 漏源电压 (VDS) | 60 | V |
| 栅源电压 (VGS) | ±20 | V |
| 阈值电压 (Vth) | 3 | V |
| 导通电阻 (RDS(ON)) | 5 (VGS = 10V) | mΩ |
| 连续漏极电流 (ID) | 30 | A |
| 瞬时脉冲漏极电流 (ID(pulse)) | 100 | A |
| 最大功耗 (Ptot) | 75 | W |
| 工作温度范围 | -55 至 +175 | °C |
| 存储温度范围 | -55 至 +175 | °C |
| 技术 | Trench | |

领域和模块应用:

三、应用领域和模块示例

VBQF1606 的高电流能力和低导通电阻特性使其在多个领域和应用中表现优越,特别是在需要高电流处理和高效率的开关应用中。以下是几个具体的应用示例:

1. **电源管理**:在高效电源管理系统,如 DC-DC 转换器和高功率电源模块中,VBQF1606 能够作为高效的开关元件,减少功率损耗,提高电源效率。其低导通电阻和高电流能力有助于提升电源转换的整体性能。

2. **电动汽车**:在电动汽车的电池管理系统和电动机驱动系统中,VBQF1606 能够处理高电流负载,提供稳定的开关功能。其低导通电阻和高电流承受能力使其适用于电动汽车的电池保护、功率转换和电动机控制。

3. **通信设备**:在通信设备中,例如基站和无线设备,VBQF1606 可以提供高效的开关功能,确保设备的稳定性和高效能。其高电流能力和低导通电阻有助于减少功率损耗,提高系统的可靠性。

4. **工业控制**:在工业自动化和控制系统中,VBQF1606 可用于高电流开关和功率控制应用,如电机驱动和负载开关。其高电流处理能力和高效开关特性使其适合于工业设备中的关键控制功能。

这些应用示例展示了 VBQF1606 在需要高电流处理和低导通损耗的场景中的关键作用,特别是在电源管理、电动汽车和通信设备中。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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