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VBBD1330D 产品详细

产品简介:

产品简介

**VBBD1330D** 是一款高性能 N 通道 MOSFET,采用 DFN8 (3x2)-B 封装。该 MOSFET 使用 Trench 技术,具备低导通电阻和高电流处理能力,设计用于中等电压应用。其紧凑的封装和优异的电气特性使其适合于各种电源管理和开关应用,尤其适用于空间受限的应用环境。

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产品参数:

详细参数说明

- **封装**:DFN8 (3x2)-B
- **配置**:单 N 通道
- **漏源电压(VDS)**:30V
- **栅源电压(VGS)**:±20V
- **栅源阈值电压(Vth)**:1.5V
- **导通电阻(RDS(ON))**:29mΩ(在 VGS = 10V 时)
- **最大漏电流(ID)**:6.7A
- **技术**:Trench 技术

领域和模块应用:

应用领域和模块示例

**VBBD1330D** 的低导通电阻和中等电流承载能力使其在多个领域和模块中表现出色,具体包括:

1. **电源管理**:
- **DC-DC 转换器**:在 DC-DC 转换器中,VBBD1330D 可以作为开关元件,帮助实现高效的电流转换。其低 RDS(ON) 特性有助于减少开关损耗,从而提升转换效率和系统性能。

2. **消费电子**:
- **电源开关**:在消费电子设备中,如智能手机和便携式电子产品,VBBD1330D 适用于电源开关和电源路径管理,提供高效的电源控制和低功耗的解决方案。

3. **工业控制**:
- **负载开关**:在工业控制系统中,MOSFET 的高电流能力和低导通电阻使其适合用于负载开关任务,如电机控制和电源分配,确保系统的稳定性和高效能。

4. **汽车电子**:
- **电源管理和控制**:在汽车电子系统中,VBBD1330D 可用于电源管理和控制电路,处理中等电压和电流需求,提供可靠的开关性能和电源管理解决方案。

5. **通信设备**:
- **功率开关和控制**:在通信设备中,该 MOSFET 的低导通电阻使其适合用于功率开关和控制电路,优化设备的功率效率和稳定性。

这些应用示例展示了 VBBD1330D 的优越性能和广泛适用性,特别适用于需要中等电压和高效能的电子系统。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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