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VBN2625 产品详细

产品简介:

VBN2625 产品简介

**VBN2625** 是一款高性能的 N-channel MOSFET,采用 TO-262 封装,专为高电流、高效率的应用设计。它具备优异的开关特性和低导通电阻,非常适合用于需要高效电流控制的电路中。VBN2625 具有高达 -60V 的漏源电压承受能力,并且最大漏极电流可达 -53A。其低 R_DS(on) 使其在高负载条件下能够有效减少功耗和发热。

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产品参数:

详细参数说明

- **封装类型**: TO-262
- **配置**: 单极性(Single-P)
- **漏源电压 (V_DS)**: -60V
- **栅源电压 (V_GS)**: ±20V
- **阈值电压 (V_th)**: -2V
- **导通电阻 (R_DS(on))**: 16 mΩ @ V_GS = 10V
- **最大漏极电流 (I_D)**: -53A
- **结构**: Trench

领域和模块应用:

应用领域和模块

**VBN2625** 适用于各种需要高电流和高效率的电子应用。以下是一些具体的应用领域和模块示例:

1. **电源管理**:
- 在电源转换器和DC-DC转换器中,VBN2625 的低导通电阻和高电流能力能够显著提高电源的效率,减少能量损耗和发热,从而提高系统的整体性能和可靠性。

2. **电机驱动**:
- 在电机驱动电路中,VBN2625 可作为开关器件,用于控制电机的启停和调速。它能够承受高电流,并在电机启动和运行过程中提供稳定的电流控制。

3. **功率放大器**:
- 在音频放大器和无线通信功率放大器中,VBN2625 的低导通电阻和高电流能力帮助实现更高的功率传输效率和更低的信号失真,从而提高音频和信号的质量。

4. **逆变器和变频器**:
- 在逆变器和变频器中,VBN2625 作为开关元件可以提高转换效率,确保稳定的电源输出,并优化能量转换过程,特别是在高电流负载条件下。

通过以上应用,VBN2625 可以在各种高功率、高效率的电路设计中提供可靠的性能,满足不同领域的需求。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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