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VBGC1101M 产品详细

产品简介:

产品简介

**VBGC1101M** 是一款采用 Trench 技术的单极 N 通道 MOSFET,封装形式为 DIP8。该 MOSFET 设计用于中等功率和电流开关应用,具有较高的导通电阻和中等电流承载能力,适用于需要高电压处理能力和可靠性的电子设备和电力管理系统。

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产品参数:

详细参数说明

- **封装**:DIP8
- **配置**:单极 N 通道
- **最大漏极-源极电压 (VDS)**:100V
- **最大栅极-源极电压 (VGS)**:±20V
- **栅极阈值电压 (Vth)**:2V
- **导通电阻 (RDS(on))**:
- 120mΩ @ VGS = 4.5V
- 100mΩ @ VGS = 10V
- **最大连续漏极电流 (ID)**:3A
- **技术**:Trench 技术

领域和模块应用:

适用领域与模块举例

**VBGC1101M** 的特点使其适用于多个中等功率和高效能的应用领域,包括:

1. **电源管理**:由于其中等的导通电阻和电流能力,该 MOSFET 适用于中等功率电源管理系统,如线性电源和低功率 DC-DC 转换器。它能够处理适中的电流开关需求,提供稳定的电源转换和能量效率。

2. **工业自动化**:在工业自动化设备中,如控制器和驱动器,该 MOSFET 能够处理中等电压和电流的开关操作,确保系统的可靠性和稳定性,适用于中等功率负载的控制和驱动。

3. **消费电子**:在消费电子产品中,如家庭电器和音频设备,这款 MOSFET 可用于电源管理和开关电路,提供稳定的电流控制和高效的电源转换。

4. **测试与测量设备**:在测试与测量设备中,该 MOSFET 适用于电源开关和信号控制,提供可靠的电流开关性能和高效的电源控制,确保测量设备的精确性和稳定性。

5. **汽车电子**:在汽车电子系统中,如小功率电机驱动和电池管理模块,该 MOSFET 能够处理中等电流和电压的开关操作,提供高效的电源管理和可靠的电流控制,确保汽车电子系统的高效和可靠。

总结来说,VBGC1101M 是一款具有中等电流承载能力和较高导通电阻的 MOSFET,适用于各种中等功率电源管理和开关应用,特别是在需要高电压处理能力和可靠性的系统中表现优异。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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