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VBHA2245N 产品详细

产品简介:

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VBHA2245N 是一款单 P 沟道 MOSFET,采用 SOT723-3 封装。该器件基于沟槽技术,提供低导通电阻和适中的电流处理能力,非常适合低电压应用。VBHA2245N 的设计使其在空间受限的应用中表现出色,特别适用于便携式和小型化电子设备。

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产品参数:

详细参数说明

- **型号**: VBHA2245N
- **封装**: SOT723-3
- **配置**: 单 P 沟道
- **漏源电压 (VDS)**: -20V
- **栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **栅阈值电压 (Vth)**: -0.45V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 456mΩ @ VGS = 4.5V
- 380mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流 (ID)**: -0.78A
- **技术**: Trench

领域和模块应用:

应用领域和模块示例

1. **便携式电子设备**:由于其小型封装和低导通电阻,VBHA2245N 非常适合用于便携式电子设备,如智能手机、平板电脑和便携式媒体播放器。它能够在有限的空间内提供高效的开关功能,确保设备的低功耗和长电池寿命。

2. **电源管理模块**:这款 MOSFET 可以应用于各种电源管理模块,包括电压调节器和电源开关模块。其低导通电阻和高效的电流处理能力,使其能够在低电压条件下提供稳定的电源管理功能。

3. **电池保护电路**:在电池保护电路中,VBHA2245N 的低阈值电压和适中的导通电阻能够有效保护电池,防止过充电和过放电,特别适用于锂电池保护电路。

4. **负载开关**:由于其小型封装和高效开关特性,VBHA2245N 可以用作各种低功耗设备的负载开关,包括无线耳机、智能手表和其他可穿戴设备。

5. **信号开关电路**:该 MOSFET 的低导通电阻和小封装使其适用于信号开关电路,如模拟信号路由和数字信号切换,能够在小型电路板上实现高效的信号控制。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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