产品参数:
详细参数说明
- **V_DS(漏源电压)**: 20V
MOSFET漏极与源极之间能够承受的最大电压。
- **V_GS(栅源电压)**: ±20V
MOSFET栅极与源极之间允许的最大电压。
- **V_th(栅极阈值电压)**: 0.5V ~ 1.5V
使MOSFET开始导通所需的最小栅源电压范围。
- **R_DS(ON)(漏源导通电阻)**:
- 12mΩ @ V_GS = 4.5V
- 10mΩ @ V_GS = 10V
MOSFET在导通状态下漏极与源极之间的电阻。较低的R_DS(ON)值表明更高的开关效率和更低的功率损耗。
- **I_D(连续漏极电流)**: 9.4A
MOSFET能够承受的最大连续漏极电流。
- **技术**: Trench
采用Trench技术,提供低导通电阻和高电流处理能力。
领域和模块应用:
应用领域
VBQF3211 MOSFET适用于多种需要高效开关和低导通电阻的应用场景,特别是在电源管理和电机控制领域:
1. **电源管理**:
- **DC-DC转换器**: 在DC-DC转换器中作为开关元件,提供高效电力转换,确保低功耗和高可靠性。
- **负载开关**: 用于各种电源管理应用中,提供高效开关能力和低导通电阻。
2. **电机控制**:
- **小型电机驱动**: 在小型电机驱动应用中,如风扇驱动和小型电动工具,提供稳定的高电流处理和低功耗。
- **步进电机驱动**: 在步进电机驱动系统中,实现精确的电流控制和高效的电力转换。
3. **汽车应用**:
- **电源分配模块**: 在汽车电源分配系统中处理中低电压负载,确保电力系统的高效性和可靠性。
- **电子控制单元(ECU)**: 在汽车ECU中,用于控制和管理各种电子功能,提供可靠的电源开关和电流控制。
4. **消费电子**:
- **电源管理单元**: 在各种消费电子产品中的电源管理单元,提供高效、可靠的电源开关和电流控制。
- **电池供电设备**: 在便携式设备中,提供高效的电力管理和低功耗开关,延长设备的电池寿命。
VBQF3211以其低导通电阻和高电流处理能力,适合各种需要高效开关和低功耗的应用场景,确保系统的高效性和可靠性。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性