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VBE17R12S 产品详细

产品简介:

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VBE17R12S是VBsemi品牌的单N沟道场效应管,具有700V的漏极-源极电压(VDS),30V的栅极-源极电压(VGS),以及3.5V的阈值电压(Vth)。该产品采用SJ_Multi-EPI技术,封装为TO252。其主要特点是具有340mΩ的导通电阻(在VGS=10V时)和12A的漏极电流(ID)。

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产品参数:

详细参数说明:
- 型号:VBE17R12S
- 品牌:VBsemi
- 类型:单N沟道场效应管
- 漏极-源极电压(VDS):700V
- 栅极-源极电压(VGS):30V
- 阈值电压(Vth):3.5V
- 导通电阻(VGS=10V时):340mΩ
- 漏极电流(ID):12A
- 技术:SJ_Multi-EPI
- 封装:TO252

领域和模块应用:

适用领域和模块举例:
1. 电源适配器:VBE17R12S的低导通电阻和高漏极电流使其适用于电源适配器中的开关电源控制,可以提高能源转换效率。
2. LED照明驱动器:产品的高耐压特性和低导通电阻使其成为LED照明驱动器中的理想选择,可以实现高效率的LED灯光输出。
3. 太阳能逆变器:在太阳能逆变器中,VBE17R12S可以用于实现高效率的直流-交流转换,将太阳能电能转化为可用的交流电。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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