MOSFET

您现在的位置 > 首页 > MOSFET

VB1204M 产品详细

产品简介:

VB1204M 产品简介

**VB1204M** 是一款单N沟道功率MOSFET,封装形式为 SOT23-3,采用 Trench 技术制造。该 MOSFET 具有较高的耐压能力和较低的导通电阻,设计用于小电流和高压应用,适用于各种低功耗电子设备和模块。

文件下载

下载PDF 文档
立即下载

产品参数:

详细参数说明

- **封装(Package):** SOT23-3
- **配置(Configuration):** 单N沟道
- **最大漏源电压(VDS):** 200V
- **最大栅源电压(VGS):** ±20V
- **阈值电压(Vth):** 2.5V
- **导通电阻(RDS(on)):** 1400mΩ @ VGS = 10V
- **最大连续漏极电流(ID):** 0.6A
- **技术(Technology):** Trench

领域和模块应用:

适用领域与模块举例

**VB1204M** 的特性使其适用于以下领域和模块:

1. **低功耗电子设备:**
由于其较高的耐压能力(200V)和低电流处理能力,该 MOSFET 非常适合用于低功耗电子设备中的高压应用。例如,在便携式设备和小型家用电器中,VB1204M 可以作为高压开关元件,确保设备在高压条件下安全运行。

2. **电源管理模块:**
在电源管理模块中,例如电池充电器和小型DC-DC转换器,VB1204M 能够处理较高的电压并提供稳定的开关性能。其低导通电阻和高耐压特性确保了电源管理模块的高效能和可靠性。

3. **信号开关电路:**
在信号开关电路中,该 MOSFET 可用于高压信号的开关控制。其高耐压和低导通电阻特性使其能够在高压信号路径中提供可靠的开关功能,适用于通信设备和测量仪器等应用。

4. **小型电机驱动:**
在需要高压驱动的小型电机中,VB1204M 可用于控制电机的启动和停止。其高耐压能力和低电流处理能力使其适合用于小型电机驱动电路,如玩具和小型家用电器中的电机控制。

5. **保护电路:**
该 MOSFET 还可以用于各种保护电路中,如过压保护和浪涌保护电路。其高耐压特性使其能够在过压和浪涌条件下保护其他电子元件,确保系统的安全和稳定。

综上所述,VB1204M 是一款高耐压、低功耗的 MOSFET,适用于低功耗电子设备、电源管理、信号开关、小型电机驱动及保护电路等领域。其高效能和可靠性使其在各种高压小电流应用中表现出色。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

打样申请

序列号验证

在线咨询

电话咨询

400-655-8788

微信咨询

一键置顶

打样申请
序列号验证
在线咨询
电话咨询
微信咨询