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VBBC3210 产品详细

产品简介:

VBBC3210 产品简介

VBBC3210是一款高性能双N沟道MOSFET,采用DFN8(3x3)-B封装,专为低电压和高电流应用设计。该MOSFET具有20V的漏源电压(VDS)和±20V的栅源电压(VGS),阈值电压为0.8V。它采用先进的Trench技术,提供低导通电阻,在VGS为10V时的导通电阻为17mΩ,最大漏极电流(ID)为20A。VBBC3210特别适合用于高效率开关和低电压电源管理,能够在高负载条件下保持优异的性能和稳定性。

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产品参数:

VBBC3210 详细参数说明

| 参数 | 值 | 单位 |
|------------------|-------------------|------|
| 封装类型 | DFN8(3x3)-B | |
| 配置 | 双N沟道 | |
| 漏源电压 (VDS) | 20 | V |
| 栅源电压 (VGS) | ±20 | V |
| 阈值电压 (Vth) | 0.8 | V |
| 导通电阻 (RDS(ON)) | 17 (VGS=10V) | mΩ |
| 最大漏极电流 (ID) | 20 | A |
| 技术 | Trench | |

领域和模块应用:

VBBC3210 适用领域和模块

1. **高效率开关电源(High-Efficiency Switching Power Supplies)**:
VBBC3210在高效率开关电源中表现出色,特别适合用于低电压、高电流的开关任务。其低导通电阻(17mΩ)和高电流能力(20A)确保了电源系统的高效性能,减少了功率损耗,提高了整体系统的效率。

2. **DC-DC转换器(DC-DC Converters)**:
在DC-DC转换器应用中,VBBC3210提供了高效的开关性能。其低导通电阻和高电流处理能力使其能够在低电压条件下有效转换电压,提高转换器的效率并减少功率损耗,适用于各种低电压、高效能的转换器设计。

3. **电池管理系统(Battery Management Systems)**:
该MOSFET适用于电池管理系统,特别是在需要处理高电流和低电压的场合。VBBC3210的高电流能力和低导通电阻使其在电池保护和负载开关应用中表现优异,能够提高电池系统的可靠性和稳定性。

4. **小型电子设备(Small Electronic Devices)**:
由于其DFN8(3x3)-B封装,VBBC3210非常适合用于小型电子设备中。这种紧凑的封装形式使其适合在空间有限的应用中使用,同时其高性能特性确保了设备的高效运行。

5. **功率开关(Power Switching)**:
VBBC3210可用于各种功率开关应用,如电机驱动和负载开关。其高电流处理能力和低导通电阻确保了在高负载条件下的稳定和高效开关性能,适合于需要高效开关控制的系统。

VBBC3210凭借其低电压、高电流处理能力以及低导通电阻,适用于各种需要高效和稳定性能的应用,为电源管理、电池保护和开关控制提供了可靠的解决方案。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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