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VBR165R01 产品详细

产品简介:

一、VBR165R01 产品简介

VBR165R01 是一款高耐压单N沟道功率MOSFET,采用TO-92封装。该MOSFET基于平面(Plannar)技术,设计用于高电压应用,具有600V的漏源极耐压。尽管其导通电阻较高,但其高电压能力使其非常适合在要求高电压耐受性的应用中使用,如电源保护和高电压开关。

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产品参数:

二、VBR165R01 详细参数说明

1. **封装类型**:TO-92
2. **配置**:单N沟道
3. **漏源极电压 (VDS)**:600V
4. **栅源极电压 (VGS)**:±20V
5. **阈值电压 (Vth)**:2V
6. **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 6667mΩ @ VGS=10V
7. **漏极电流 (ID)**:1A
8. **技术类型**:Plannar

领域和模块应用:

三、应用领域和模块举例

**应用领域**:

1. **高电压保护**:VBR165R01 具有600V的漏源极耐压,适用于高电压保护应用。在高电压电源或设备中,它可以作为保护元件,防止过电压对电路的损害,确保系统的安全运行。

2. **高电压开关**:尽管导通电阻较高,但VBR165R01 适用于一些高电压开关应用,特别是那些需要高耐压但电流要求不高的场景。这使其适合用于开关电源或高电压控制系统中。

3. **工业设备**:在工业设备中,该MOSFET 可以用于高电压控制和开关应用,其高耐压能力可以在电力控制系统中提供可靠的性能,适用于高电压环境下的工业设备。

**模块举例**:

1. **高电压保护模块**:VBR165R01 可以集成在高电压保护模块中,用于保护高电压电源系统免受过电压冲击。适用于高压电源保护、变电站设备和其他需要高电压保护的应用场合。

2. **高电压开关模块**:该MOSFET 可以作为开关元件应用于高电压开关模块中,适合于处理高电压负载但对电流要求较低的场景。

3. **工业控制模块**:VBR165R01 也适用于高电压工业控制系统中的开关和控制功能,提供高电压耐受和稳定的开关性能,用于电力管理和控制系统。

总之,VBR165R01 由于其高耐压和稳定的性能,适用于高电压保护、高电压开关和工业控制等领域,为这些应用提供了可靠的解决方案。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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