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VBED1806 产品详细

产品简介:

产品简介

**VBED1806** 是一款采用 Trench 技术的单极 N 通道 MOSFET,封装形式为 SOT669。这款 MOSFET 设计用于高功率和高效率的开关应用,具有较低的导通电阻和高电流承载能力。它在小型封装中提供了高性能,适合用于需要紧凑设计和高效能的电子设备。

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产品参数:

详细参数说明

- **封装**:SOT669
- **配置**:单极 N 通道
- **最大漏极-源极电压 (VDS)**:80V
- **最大栅极-源极电压 (VGS)**:±20V
- **栅极阈值电压 (Vth)**:1.4V
- **导通电阻 (RDS(on))**:
- 7.2mΩ @ VGS = 4.5V
- 6mΩ @ VGS = 10V
- **最大连续漏极电流 (ID)**:90A
- **技术**:Trench 技术

领域和模块应用:

适用领域与模块举例

**VBED1806** 的高性能特点使其非常适合以下高功率和高效能应用领域:

1. **电源管理**:由于其低导通电阻和高电流能力,该 MOSFET 非常适合用于高效电源管理系统,如 DC-DC 转换器和电源模块。在这些应用中,它能够处理高电流开关操作,提升电源转换效率,并减少能量损耗。

2. **电动汽车**:在电动汽车的电力电子系统中,如电池管理系统(BMS)和电动机驱动系统,该 MOSFET 可以处理高电流开关,确保系统的高效性和稳定性。其小型封装也使其适用于空间有限的电动汽车电子系统。

3. **逆变器系统**:在高功率逆变器系统中,如太阳能光伏逆变器和工业逆变器,该 MOSFET 能够有效地处理高电压和高电流开关操作,提供高效的电力转换,保证系统的可靠运行。

4. **消费电子**:在消费电子产品如智能手机、平板电脑和笔记本电脑的电源管理模块中,这款 MOSFET 的紧凑封装和高效性能使其适用于高功率电源开关和保护电路,帮助提高产品的稳定性和能效。

5. **高功率开关**:在需要处理高电流和高功率的开关应用中,如电力开关设备和电力电子系统,这款 MOSFET 能够提供可靠的开关性能和高效的电流控制。

总结来说,VBED1806 是一款高电流承载能力和低导通电阻的 MOSFET,适合于各种高功率电源管理和开关应用,尤其在空间有限的电子设备中表现优异。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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