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VBED1402 产品详细

产品简介:

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VBED1402 是一款高性能单 N 沟道 MOSFET,采用 SOT669 封装。该器件基于先进的沟槽技术,具有极低的导通电阻和高电流处理能力,非常适合在高效率和高功率的开关应用中使用。VBED1402 的优异性能使其成为多种高功率电子电路的理想选择,尤其是在空间受限的应用场合。

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产品参数:

详细参数说明

- **型号**: VBED1402
- **封装**: SOT669
- **配置**: 单 N 沟道
- **漏源电压 (VDS)**: 40V
- **栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **栅阈值电压 (Vth)**: 1.4V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 2.4mΩ @ VGS = 4.5V
- 2mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流 (ID)**: 100A
- **技术**: Trench

领域和模块应用:

应用领域和模块示例

1. **高效开关电源**:由于其极低的导通电阻和高电流处理能力,VBED1402 非常适合用于开关电源 (SMPS)。它能够提高电源的转换效率,减少功耗,适用于高功率电源应用,如计算机电源、网络设备电源和电信电源。

2. **电机驱动系统**:这款 MOSFET 能够处理高达 100A 的电流,适合用于电机驱动模块,例如工业自动化设备和电动工具。它能提供稳定且高效的电流控制,确保系统的性能和可靠性。

3. **电池管理系统**:在电池管理系统中,VBED1402 的低导通电阻优化了电池的充放电过程,提高系统的整体效率和可靠性,特别适用于电动汽车和储能系统。

4. **光伏逆变器**:该 MOSFET 的高电流处理能力和低导通电阻使其适用于光伏逆变器的开关部分,能够提升光伏系统的整体效率和稳定性。

5. **高功率开关应用**:凭借其出色的开关性能,VBED1402 适用于各种高功率开关应用,如大功率 DC-DC 转换器和高频开关设备。它能够减少功耗并提升系统性能,广泛应用于工业和消费电子领域,尤其是在空间有限的应用场合。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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