产品参数:
详细参数说明
- **V_DS(漏源电压)**: 100V
MOSFET漏极与源极之间能够承受的最大电压。
- **V_GS(栅源电压)**: ±20V
MOSFET栅极与源极之间允许的最大电压。
- **V_th(栅极阈值电压)**: 1.4V
使MOSFET开始导通所需的最小栅源电压。
- **R_DS(ON)(漏源导通电阻)**:
- 13.92mΩ @ V_GS = 4.5V
- 11.6mΩ @ V_GS = 10V
MOSFET在导通状态下漏极与源极之间的电阻。较低的R_DS(ON)值表明更高的开关效率和更低的功率损耗。
- **I_D(连续漏极电流)**: 69A
MOSFET能够承受的最大连续漏极电流。
- **技术**: Trench
采用Trench技术,提供低导通电阻和高电流处理能力。
领域和模块应用:
应用领域
VBED1101N MOSFET适用于多种高电压和高电流的应用场景:
1. **电源管理**:
- **高电流电源开关**: 适用于高电流开关应用,如高效开关电源(SMPS),其低R_DS(ON)值可以显著减少功率损耗,提高系统效率。
- **DC-DC转换器**: 在DC-DC转换器中提供高效的电力转换和调节,特别适用于处理高电流的应用场合。
2. **电机控制**:
- **电动机驱动**: 在电动机驱动系统中,如工业电机驱动或电动汽车(EV)电机控制,能够处理高达69A的电流,提供高效、可靠的开关性能。
- **伺服电机控制**: 在伺服电机控制系统中,如机器人和自动化设备,确保稳定的高电流控制。
3. **汽车应用**:
- **电力分配系统**: 在汽车电力分配系统中处理高电流负载,确保电力系统的可靠性和高效性。
- **电池管理系统(BMS)**: 在电动汽车和混合动力汽车中,提升电池管理系统的性能,优化高电流处理能力。
4. **消费电子**:
- **电源供应单元(PSU)**: 适用于高功率消费电子产品中的电源供应单元,如高性能计算机和音响系统,提供高效的电源管理。
- **充电解决方案**: 在高电流充电应用中,如快速充电系统和高功率充电器,确保高效、可靠的充电过程。
VBED1101N以其低导通电阻和高电流处理能力,适合各种高电压和高电流的应用需求,确保系统的高效性和可靠性。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性