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VBNCB1603 产品详细

产品简介:

产品简介

**VBNCB1603** 是一款高性能 N 通道 MOSFET,采用 TO262 封装。该 MOSFET 采用 Trench 技术,具备高电流处理能力和极低的导通电阻,适合于需要高效能和高负载能力的应用。其高电压耐受能力和低 RDS(ON) 特性使其成为高功率开关和电源管理系统的理想选择。

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产品参数:

详细参数说明

- **封装**:TO262
- **配置**:单 N 通道
- **漏源电压(VDS)**:60V
- **栅源电压(VGS)**:±20V
- **栅源阈值电压(Vth)**:3.5V
- **导通电阻(RDS(ON))**:3mΩ(在 VGS = 10V 时)
- **最大漏电流(ID)**:210A
- **技术**:Trench 技术

领域和模块应用:

应用领域和模块示例

**VBNCB1603** 的高电流承载能力和低导通电阻使其在多个领域和模块中表现卓越,具体包括:

1. **电源管理**:
- **高功率 DC-DC 转换器**:在高功率 DC-DC 转换器中,VBNCB1603 可作为主要开关元件,提供高效的电流转换。其低 RDS(ON) 有助于减少开关损耗,提升整体系统的效率。

2. **电动汽车**:
- **电动驱动系统**:在电动汽车的电机驱动系统中,这款 MOSFET 能够处理高电流,确保电机高效、稳定运行。其高电流能力和低导通电阻使其适用于高负载条件下的电流控制。

3. **功率放大器**:
- **高功率音频放大器**:由于其低导通电阻和高电流承载能力,VBNCB1603 可以用于音频功率放大器,减少功率损耗,改善音频信号的质量。

4. **工业控制**:
- **电机驱动和开关控制**:在工业应用中,MOSFET 的高电流和低 RDS(ON) 特性使其适用于各种电机控制系统和开关控制应用,确保系统的高效能和稳定性。

5. **开关电源**:
- **高效开关电源**:在高功率开关电源应用中,VBNCB1603 的低 RDS(ON) 有助于减少开关损耗,提高电源的整体效率和稳定性。

这些应用领域展示了 VBNCB1603 的优越性能和广泛适用性,特别适用于高电流和高功率需求的电子系统。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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