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VBMB165R16 产品详细

产品简介:

VBMB165R16 MOSFET 产品简介

**VBMB165R16** 是一款高耐压的单极 N 通道 MOSFET,采用 Plannar 技术,封装形式为 TO220F。这款 MOSFET 具有较高的漏极-源极耐压(650V)和较大的连续漏极电流(16A),适合高电压和中等功率应用。其设计提供了可靠的性能和稳定性,适用于多种电源和开关应用。

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产品参数:

详细参数说明

- **封装**: TO220F
- **配置**: 单极 N 通道
- **最大漏极-源极电压 (VDS)**: 650V
- **最大栅极-源极电压 (VGS)**: ±30V
- **栅极阈值电压 (Vth)**: 3.5V
- **导通电阻 (RDS(on))**: 480mΩ @ VGS = 10V
- **最大连续漏极电流 (ID)**: 16A
- **技术**: Plannar 技术

领域和模块应用:

适用领域与模块举例

**VBMB165R16** 主要适用于以下领域和模块:

1. **高压电源管理**:由于其高漏极-源极耐压(650V),VBMB165R16 非常适合用于高压电源管理系统,如高压直流-直流转换器和电源供应器。其较高的耐压和可靠的性能使其能够处理高电压电源应用中的开关和控制任务。

2. **逆变器**:在逆变器应用中,该 MOSFET 可以用于将直流电转换为交流电。其高耐压能力和中等导通电阻适用于需要高电压开关的逆变器设计,能够确保逆变器在高电压和高负载条件下稳定运行。

3. **电机驱动**:在电机驱动系统中,VBMB165R16 可用于电机的开关和控制应用。其高电压耐受能力使其适合用于高电压电机控制电路,能够应对高电压和高功率的工作环境。

4. **工业电源和控制**:在工业电源和控制系统中,该 MOSFET 适用于高压开关应用,如电力转换器和高压开关电源。其高电压耐受性和稳定的性能使其成为工业环境中可靠的选择。

总结来说,VBMB165R16 MOSFET 的 TO220F 封装、高耐压能力和中等导通电阻使其在高压电源管理、逆变器、电机驱动以及工业电源和控制应用中表现优异。其 Plannar 技术确保在各种高电压和高功率应用中提供可靠的性能。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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