产品参数:
详细参数说明
- **V_DS(漏源电压)**: 250V
MOSFET漏极与源极之间能够承受的最大电压。
- **V_GS(栅源电压)**: ±20V
MOSFET栅极与源极之间允许的最大电压。
- **V_th(栅极阈值电压)**: 3.5V
使MOSFET开始导通所需的最小栅源电压。
- **R_DS(ON)(漏源导通电阻)**: 16mΩ @ V_GS = 10V
MOSFET在导通状态下漏极与源极之间的电阻。较低的R_DS(ON)值意味着较低的功率损耗和更高的开关效率。
- **I_D(连续漏极电流)**: 100A
MOSFET能够承受的最大连续漏极电流。
- **技术**: SGT(Super Junction Technology)
采用超结技术,提供低导通电阻和高电流处理能力。
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领域和模块应用:
应用领域
VBGP1252N MOSFET适用于多种高电压和高电流的应用场景:
1. **电源管理**:
- **高电压电源开关**: 适用于高电压电源开关应用,如高压开关电源(SMPS),其低R_DS(ON)值能够显著减少功率损耗,提高系统效率。
- **高电压DC-DC转换器**: 在高电压DC-DC转换器中提供高效的电力转换和调节,特别适用于处理大电流的应用场合。
2. **电机控制**:
- **高电压电动机驱动**: 在高电压电动机驱动系统中,如工业电机驱动或电动汽车(EV)电机控制,能够处理高达100A的电流,提供高效、可靠的开关性能。
- **伺服电机控制**: 在高电压伺服电机控制系统中,如机器人和自动化设备,确保稳定的高电流控制。
3. **汽车应用**:
- **电力分配系统**: 在汽车电力分配系统中处理高电压负载,确保电力系统的可靠性和高效性。
- **电池管理系统(BMS)**: 在电动汽车和混合动力汽车中,提升电池管理系统的性能,优化高电流处理能力。
4. **工业应用**:
- **高功率开关**: 适用于工业设备中的高功率开关应用,如变频器和功率调节器,提供高效、可靠的开关性能。
- **电力逆变器**: 在太阳能逆变器和其他高电压电力逆变器中,处理高电压和高电流,确保系统的高效运行。
VBGP1252N以其低导通电阻和高电流处理能力,适合各种高电压和高电流的应用需求,确保系统的高效性和可靠性。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性