VBE17R10S - VBsemi MOS管制造商

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VBsemi的VBE17R10S是一款单N沟道MOSFET，具有可靠性高、性能优异的特点。采用SJ_Multi-EPI技术制造，封装为TO252，适用于多种应用场合。

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产品参数：

详细参数说明：
- 品牌：VBsemi
- 型号：VBE17R10S
- 类型：单N沟道MOSFET
- 最大漏极-源极电压（VDS）：700V
- 最大栅极-源极电压（VGS）：±30V
- 阈值电压（Vth）：3.5V
- 在VGS=10V时的漏极-源极电阻（mΩ）：600mΩ
- 最大漏极电流（ID）：10A
- 技术：SJ_Multi-EPI
- 封装：TO252

领域和模块应用：

应用示例：
该产品适用于多个领域和模块，例如：
- 电源模块：可用于开关电源、电池管理系统和LED驱动器等领域中的功率控制和电流调节。
- 通信设备：适用于基站设备、光通信模块和网络设备中的功率开关和信号调节。
- 汽车电子系统：可用于汽车电动化系统、发动机控制单元和车载充电设备等汽车电子控制领域中的功率管理和电路保护。

*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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* 如果您对产品有任何问题，请填写表格提交，我们会24小时内回复您

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