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VBE17R08SE 产品详细

产品简介:

产品简介:
VBsemi的VBE17R08SE是一款Single N型MOSFET,采用SJ_Deep-Trench技术制造。该产品具有700V的漏极-源极电压(VDS),30V的栅极-源极电压(VGS),以及3.5V的阈值电压(Vth)。其封装为TO252,适用于各种电子设备和应用。

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产品参数:

详细参数说明:
- 漏极-源极电压(VDS):700V
- 栅极-源极电压(VGS):±30V
- 阈值电压(Vth):3.5V
- 在VGS=10V时的导通电阻(mΩ):540mΩ
- 最大漏极电流(ID):8A
- 技术:SJ_Deep-Trench
- 封装:TO252

领域和模块应用:

适用领域和模块示例:
1. 工业电源模块:由于VBE17R08SE具有较高的漏极-源极电压和漏极电流,适用于工业级电源模块,如工厂自动化设备和电力系统。
2. 电动汽车充电器:该产品的高电压和高电流特性使其适用于电动汽车充电器模块,能够提供稳定的电源输出和快速充电速度。
3. 太阳能逆变器:在太阳能发电系统中,VBE17R08SE可用于逆变器模块,将直流电转换为交流电,以供电网使用或存储在电池中。
4. 电源管理模块:其低导通电阻和高漏极-源极电压使其适用于各种电源管理模块,包括开关稳压器和开关电源。

这些示例说明了VBE17R08SE可以广泛应用于工业、汽车、能源和电子设备等领域,并在不同模块中发挥重要作用。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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