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VBE17R07SE 产品详细

产品简介:

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VBE17R07SE是VBsemi生产的单N沟道场效应晶体管产品。它具有700V的漏极-源极电压(VDS),30V的门源电压(VGS),以及3.5V的阈值电压(Vth)。在VGS=10V时,其导通状态下的电阻为680mΩ,最大漏极电流(ID)为7A。采用了SJ_Deep-Trench技术,封装为TO252。

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产品参数:

详细参数说明:

- 产品型号:VBE17R07SE
- 品牌:VBsemi
- 参数:
- 漏极-源极电压(VDS):700V
- 门源电压(VGS):30V(±)
- 阈值电压(Vth):3.5V
- VGS=10V时的导通状态下电阻(mΩ):680
- 最大漏极电流(ID):7A
- 技术:SJ_Deep-Trench
- 封装:TO252

领域和模块应用:

应用领域和模块示例:

VBE17R07SE产品适用于以下领域和模块:

1. 电源管理模块:由于其高漏极电压和较大漏极电流,可用于设计高性能的开关电源模块,如直流-直流(DC-DC)变换器。
2. 工业电子:在工业控制系统中,可以用于电机驱动器、逆变器等模块,以实现高效能的能源转换。
3. 汽车电子:在电动汽车、混合动力汽车以及传统汽车的电动辅助系统中,可用于电机控制、电池管理等模块,提高整车的能效。
4. 太阳能逆变器:作为太阳能光伏系统中的关键组件,用于将太阳能板产生的直流电转换为交流电,适用于家庭、商业及工业用途的太阳能发电系统。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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