MOSFET

您现在的位置 > 首页 > MOSFET

VBE17R07S 产品详细

产品简介:

产品简介:
VBsemi的VBE17R07S是一款单N沟道MOSFET,具有高达700V的漏极-源极电压(VDS),30V的门极-源极电压(VGS),和3.5V的阈值电压(Vth)。采用SJ_Multi-EPI技术制造,封装为TO252,具有高性能和可靠性。

文件下载

下载PDF 文档
立即下载

产品参数:

详细参数说明:
- 漏极-源极电压(VDS):700V
- 门极-源极电压(VGS):±30V
- 阈值电压(Vth):3.5V
- 在VGS=10V时的导通电阻(mΩ):750mΩ
- 最大漏极电流(ID):7A
- 技术:SJ_Multi-EPI
- 封装:TO252

领域和模块应用:

适用领域和模块举例:
1. 电源模块:VBE17R07S可用于低功率开关电源、LED驱动电源和逆变器等模块中,提供高效率和稳定性。
2. 汽车电子:在汽车电子系统中,该器件可用于车载充电桩、车载电源管理和电动汽车的驱动控制等应用。
3. 工业控制:适用于工业自动化控制系统、PLC控制模块和电机驱动器等领域,提供可靠的功率开关解决方案。
4. LED照明:在户外照明、景观照明和舞台灯光等LED照明应用中,该MOSFET可用于功率因数校正(PFC)电路和LED驱动电源中,提高效率和稳定性。

以上仅为一些示例,实际应用取决于具体设计需求和系统要求。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

打样申请

序列号验证

在线咨询

电话咨询

400-655-8788

微信咨询

一键置顶

打样申请
序列号验证
在线咨询
电话咨询
微信咨询