MOSFET

您现在的位置 > 首页 > MOSFET

VBE17R05SE 产品详细

产品简介:

产品简介:
VBsemi公司的VBE17R05SE是一款单N沟道场效应晶体管(MOSFET),采用了SJ_Deep-Trench技术。该器件具有700V的漏源电压(VDS),30V的门源电压(VG产品简介:
VBsemi公司的VBE17R05SE是一款单N沟道场效应晶体管(MOSFET),采用了SJ_Deep-Trench技术。该器件具有700V的漏源电压(VDS),30V的门源电压(VGS),门源电压阈值为3.5V。其最大导通电流(ID)为5A,导通时的门源电压为10V时的导通电阻(RDS(on))为820mΩ。封装形式为TO252。

文件下载

下载PDF 文档
立即下载

产品参数:

详细参数说明:
- 产品型号:VBE17R05SE
- 品牌:VBsemi
- 类型:单N沟道场效应晶体管(MOSFET)
- 技术:SJ_Deep-Trench
- 漏源电压(VDS):700V
- 门源电压(VGS):30V
- 门源电压阈值(Vth):3.5V
- 门源电压为10V时的导通电阻(RDS(on)):820mΩ
- 最大导通电流(ID):5A
- 封装:TO252

领域和模块应用:

适用领域和模块示例:
1. 工业电源模块:由于VBE17R05SE具有较高的漏源电压和导通电流,适用于工业电源模块中的开关电源和逆变器模块,用于稳定和调节电源输出。
2. 汽车电子系统:在汽车电子系统中,该MOSFET可以用于电动汽车的电池管理系统、充电桩以及车载直流-直流变换器等模块,实现高效能量转换和电源控制。
3. 太阳能逆变器:对于太阳能逆变器,VBE17R05SE的高漏源电压和较低的导通电阻使其成为理想的选择,可用于太阳能电池板与电网之间的能量转换和控制。
4. LED照明驱动器:在LED照明系统中,该器件可以作为LED驱动器模块中的开关器件,实现LED灯珠的控制和调光功能,提高照明系统的效率和稳定性。

通过以上示例,可以看出VBE17R05SE适用于多个领域和模块,在工业、汽车、太阳能和照明等领域都具有广泛的应用前景。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

打样申请

序列号验证

在线咨询

电话咨询

400-655-8788

微信咨询

一键置顶

打样申请
序列号验证
在线咨询
电话咨询
微信咨询