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VBE17R04SE 产品详细

产品简介:

产品简介:
VBsemi的VBE17R04SE是一款单N沟道MOSFET,具有高达700V的漏极-源极电压(VDS),30V的门极-源极电压(VGS),和3.5V的阈值电压(Vth)。采用SJ_Deep-Trench技术制造,封装为TO252,具有高性能和可靠性。

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产品参数:

详细参数说明:
- 漏极-源极电压(VDS):700V
- 门极-源极电压(VGS):±30V
- 阈值电压(Vth):3.5V
- 在VGS=10V时的导通电阻(mΩ):1100mΩ
- 最大漏极电流(ID):4A
- 技术:SJ_Deep-Trench
- 封装:TO252

领域和模块应用:

适用领域和模块举例:
1. 低功率开关电源:VBE17R04SE适用于低功率开关电源、逆变器和DC-DC转换器等模块中,提供稳定的功率转换和高效率。
2. 汽车电子:在汽车电子系统中,该器件可用于车载电源管理、车载充电桩和驱动控制等应用,实现高效能量转换和精确控制。
3. 工业传感器:适用于工业传感器、测量仪器和控制器等领域,提供稳定的电源和可靠的功率开关解决方案。
4. LED照明控制:在LED照明控制器、调光器和LED驱动电源中,该MOSFET可用于功率因数校正(PFC)电路和稳定的功率输出。

以上仅为一些示例,实际应用取决于具体设计需求和系统要求。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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