VBE17R02S - VBsemi MOS管制造商

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产品简介：

VBsemi的VBE17R02S是一款单N沟道场效应管，具有700V的漏极-源极电压，30V的门极-源极电压，3.5V的阈值电压。该产品采用SJ_Multi-EPI技术，封装为TO252。

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产品参数：

详细参数说明：
- 漏极-源极电压（VDS）：700V
- 门极-源极电压（VGS）：±30V
- 阈值电压（Vth）：3.5V
- 在VGS=10V时的导通电阻（mΩ）：2400
- 最大漏极电流（ID）：2A
- 技术：SJ_Multi-EPI

领域和模块应用：

该产品适用于以下领域和模块：
- 照明应用：可用于LED驱动电路、电源开关和照明控制模块，提供稳定的功率输出和高效率。
- 太阳能逆变器：适用于太阳能发电系统中的逆变器模块，提供高电压承受能力和低导通电阻。
- 工业电源：可用于工业自动化设备中的电源模块，如变频器、电力传输和UPS系统，提供可靠的功率转换和控制。

*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持：

* 如果您对产品有任何问题，请填写表格提交，我们会24小时内回复您

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