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VBE17R02 产品详细

产品简介:

产品简介:
VBE17R02是VBsemi品牌的Single N型MOSFET,采用Plannar技术制造。该产品具有700V的漏极-源极电压(VDS),30V的栅极-源极电压(VGS),以及3.5V的阈值电压(Vth)。其封装为TO252,适用于各种电子设备和应用。

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产品参数:

详细参数说明:
- 漏极-源极电压(VDS):700V
- 栅极-源极电压(VGS):±30V
- 阈值电压(Vth):3.5V
- 在VGS=4.5V时的导通电阻(mΩ):8125mΩ
- 在VGS=10V时的导通电阻(mΩ):6500mΩ
- 最大漏极电流(ID):2A
- 技术:Plannar
- 封装:TO252

领域和模块应用:

适用领域和模块示例:
1. 低功耗电子设备:由于VBE17R02的低漏极电流和低导通电阻,适用于要求低功耗的电子设备,如便携式电子产品和智能家居设备。
2. LED照明控制模块:该产品的高漏极-源极电压和稳定性使其适用于LED照明控制模块,能够提供可靠的功率转换和调光功能。
3. 电动工具电路:在电动工具中,VBE17R02可用于控制电机驱动电路,确保电动工具的稳定性和效率。
4. 太阳能充电调节器:在太阳能电池系统中,该产品可用于太阳能充电调节器模块,实现对电池充电电流和电压的精确控制。

这些示例说明了VBE17R02可适用于多个领域和模块,包括低功耗电子设备、LED照明、电动工具和太阳能电池系统等,并在这些领域中发挥重要作用。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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