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VBE175R04 产品详细

产品简介:

产品简介:
VBE175R04是由VBsemi品牌生产的Single N型场效应晶体管,采用Plannar技术制造,封装为TO252。该产品具有高达750V的漏极-源极电压(VDS),30V的栅极-源极电压(VGS),以及3.5V的阈值电压(Vth)。其在栅极-源极电压为4.5V和10V时的导通电阻分别为3375mΩ和2700mΩ,最大漏极电流(ID)为4A。

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产品参数:

详细参数说明:
- 产品型号:VBE175R04
- 品牌:VBsemi
- 类型:Single N型场效应晶体管
- 最大漏极-源极电压(VDS):750V
- 栅极-源极电压(VGS):30V(正负)
- 阈值电压(Vth):3.5V
- 栅极-源极电压为4.5V时的导通电阻:3375mΩ
- 栅极-源极电压为10V时的导通电阻:2700mΩ
- 最大漏极电流(ID):4A
- 技术:Plannar
- 封装:TO252

领域和模块应用:

产品适用领域和模块举例:
1. 太阳能逆变器:由于VBE175R04具有较高的漏极电压和适中的漏极电流,适用于太阳能逆变器中的功率开关模块,提高系统的转换效率和稳定性。
2. 电动汽车充电桩:可用于电动汽车充电桩中的功率开关模块,实现高效率的充电过程。
3. 工业电源模块:适用于各种工业电源模块中的功率开关器件,如开关电源、逆变器等,提供稳定可靠的电源输出。
4. 电力电子设备:可用于各种电力电子设备中的功率开关模块,如变频器、UPS系统等,提高设备的性能和可靠性。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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